高压静电场对低能氮离子注入的金霉素链霉菌的影响

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1、内蒙古大学硕士学位论文高压静电场对低能氮离子注入的金霉素链霉菌的影响姓名：石磊申请学位级别：硕士专业：生物物理学指导教师：梁运章20060501内簸古丈学唾士毕业论文高压静电场对低能氮离子注入的金霉素链霉菌的影响摘要离子束生物技术是一种新型的诱变技术，它是通过将低能离子束注入生物体内，来研究其生物学效应和作用机理，并将其用于遗传育种和基因工程等方面的一种综合技术。本文在离子束诱变微生物技术的基础上以金霉素链霉菌为实验对象，研究高压静电场对氮离子束注入后的金霉素链霉菌的作用及影响，并对诱变机理进行了

2、初步的分析。首先，通过氮离子束诱变来考察出发菌株的受诱变性。研究不同剂量氮离子注入金霉素链霉菌的诱变率和存活率，进而确定了最佳注入参数：能量lOkev，注入剂量70x2．6×1013lq+ions／cm2，在此注入剂量下，金霉素链霉菌的正变率为22％。然后，讨论高压静电场对金霉素链霉菌孢子存活率的影响。利用不同的电场剂量(时间、场强)处理金霉素链霉菌孢子悬液，发现不同剂量对链霉菌孢子有不同的影响。其中，20s×O．5kv／cm的剂量促进了孢子的萌发，与对照相比，孢子存活率提高了24％，其它剂量则抑

3、制了孢子的萌发，存活率降低。最后，重点研究了高压静电场对氮离子注入的金霉素链霉菌产生的生物效应。在适当的复合处理条件下，菌株正变率比使用等剂量离子束单因内蒙古大学碰士毕业论文子处理的正变率要高，并且菌株的生长周期和形态也发生了变化。通过大量的筛选工作，获得两株稳定高产菌株，其效价比出发菌株提高了50％以上，并对高产菌株的发酵工艺做了优化，同时通过对高产菌株三种同工酶POD、SOD、CAT的酶活性的测量，对复合诱变的机理进行了初步的分析。关键词：氮离子柬，高压静电场，金霉素链霉菌，诱变，々一内蒙古大

4、学硕士毕业论文THEBIOLOGICALEFFECTSOFHVEFIⅣ巴LANTED、Ⅳ1THN+IONSBEAMABSTRACTLow-energyionimplantationhasbeenconsideredasanewkindofmutationbreedingandforeigngenedeliverytechniques．Bythemeans，ofimplantinglow-energyionsinto．organisms，thebiologicaleffectsandthefunct

5、ionmechanismsofthetechniqueareinvestigatedbysomeresearchers．Inourexperiments，wechoosetheStreptomycesaureofaciensasthetarget．BaseonNlow-energyionimplantation,weobserveandcountethebiologicaleffectsofHVEFonstreptomycesaureofaciensimplantedwithN'‘ionsbeam

6、．Furthermorc．werevealedsomebasicmechanisms．Firstofall，bYstudieditscharacterofbeamingtheimplantatedwithN+ions．wecountthebiologicalsurvivalrateandmutageniceffectsoftheStreptomycesaureofaciens．Thenweascertaindthebestconditions：energyis10key,dosesis70x2．6

7、x101N

8、矗．Underthisconditions，thepositivemutationalratewas22％．·。ThenwediscussthesurvivalrateofStreptomycesaureofaciensirradiatingbyHVEFwimdifferentintensityandfordifferenttime．Theresultsshowthatunderthedoseof20sx0．5kv／cm,high-voltageelectrostaticfieldCa

9、ngiverisetoanobviousactivationOngermination．Compariedwiththecomparison,thesurvivalrateis124％．Inotherconditions,thefactorofdestroyingbacteriumareinfluesbyHVEF,thesurvivalratedecreases．Inthispaper,wechieflydiscussedthebiologicaleffectsofHVEFonSt