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时间:2018-12-24
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1、为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划先进封装材料 第一章三维集成技术综述1、简单描述三维集成技术答: 三维集成技术是在微系统封装的过程中采用三维结构的集成技术。 在三维结构中,功能模块可以垂直堆叠,每个模块都可以称为堆栈结构中的独立层。每一层都可以通过层间垂直互连线连接在一起。 三维集成技术分成三大类:三维片上集成、三维IC堆栈和三维封装。 2、硅封装效率=硅片面积/基板总面积 3、互连线缩短的作用:缩短互连时间延迟、减少串音和降低功率损耗,提高系统性
2、能。4。5、根据键合技术将IC粘胶键合。 6、金属-金属键合集成技术好处:①金属键合层导热性好,热量很容易传导到芯片的另一侧或者沿垂直通孔传输。②金属键合既可以作为IC间的机械支撑,也可以作为电互连线。代表例子:铜-铜键合、铜-锡-铜键合 8 (1)二氧化硅和硅中填充金属W的工艺步骤a)二氧化硅b)硅 (2)用于沉积铜填孔的大马士革工艺步骤目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制
3、定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 a)在氧化物通孔中的工艺步骤b)在硅中通孔的工艺步骤 8、三维封装技术分四类:引线键合堆栈、BGA堆栈、采用芯片弯曲布线的折叠堆栈、超薄封装堆栈。 第二章先进键合/连接技术 1、三种先进的键合/2、粘胶键合: 四种常见的粘合剂:环氧树脂、硅树脂、聚酰亚胺、丙烯酸。两种新型的粘合剂:液晶高分子聚合物、SU8 SU8粘胶键合 SU8是一种环氧基高对比度的光刻胶,主要用于微加工及其他微电子行业,可以得到较厚的图形,并且具有较好的化学性能和热稳定性。SU8是一种典型的负性胶,即曝光区相互
4、耦合,而非曝光区溶于显影液中。 一般工艺流程:基片前处理→涂胶→软烘→曝光→曝光后烘烤→显影→冲洗、干燥→竖膜 3、直接键合:指不采用任何粘合剂或者焊料,将物体A和物体B键合起来的工艺过程,键合后只有一个键合界面,利用的原理是两个平整和光滑表面间的吸引力。一种新型的键合方法:Ag-Cu直接键合技术 第三章先进的芯片与基板连接技术目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员
5、的业务技能及个人素质的培训计划 1-①铜互连:指在半导体集成电路互连层的制作中采用铜金属材料取代传统铝金属互连材料的新型半导体制造工艺技术。②电镀铜柱阵列 通过光刻胶掩模电镀铜柱在覆盖上Au层的结构,有助于热-声键合,可以获得更高的产量和更低的成本。电镀铜柱镀上一层Ni作为阻挡层,然后电镀用于热-声键合的Au帽层。改工艺的一大优点是,键合前不用对芯片进行处理。铜柱上覆盖Au帽层后,将其翻转与芯片上的Al焊盘对准,然后在压力、温度和超声条件下键合,如图: 第四章先进引线键合工艺---材料、方法与测试 1、IC有两种主要的初级互连形式
6、:引线键合、倒装芯片贴片2、引线键合和倒装芯片互连的优缺点比较 3、球焊工艺的5个步骤:①焊球形成②焊球粘附到IC或衬底焊盘上③引线移动到第二个焊点位置④引线连接到封装体或母版焊盘上⑤切断引线 4、热超声键合:将超声能量和球焊键合技术共同应用于热压键合中。5、键合引线的主要材料:①Au(纯金和合金)②Al(纯铝)③含1%Si的Al④掺Mg的Al⑤Cu 第七章先进基板材料与工艺展望 1、金属基板、有机基板、陶瓷基板的比较 2、图形化: PSS衬底的主要制作方法如下:在蓝宝石衬底上制作图形化的掩膜,通常采用的是SiO2或金属掩膜;
7、刻蚀蓝宝石;去掉掩膜,得到图形化的蓝宝石衬底。目的-通过该培训员工可对保安行业有初步了解,并感受到安保行业的发展的巨大潜力,可提升其的专业水平,并确保其在这个行业的安全感。为了适应公司新战略的发展,保障停车场安保新项目的正常、顺利开展,特制定安保从业人员的业务技能及个人素质的培训计划 3、有机基板: 两层板的简化工艺流程: 获取材料→打通孔→镀铜→图形化→焊料掩膜→镀NiAu→路径→最后镜检→出货 四层PBGA板工艺流程 获取材料→图形化→分层→钻通孔→镀铜→图形化→焊料掩膜→镀NiAu→路径→最后镜检→出货 带内嵌通孔的四层
8、板工艺流程 获取材料→钻通孔→镀铜→图形化→分层→钻通孔→镀铜→图形化→焊料掩膜→镀NiAu→路径→最后镜检→出货 第八章先进印制电路板材料 1、印制电路板材料:指一系列用于形成电路板互
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