先进封装.pdf

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1、AdvancePackage亚科电子马劲目录contents1234第一部分第二部分第三部分第四部分概述应用工艺&应用检测1概述摩尔定律的失效摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔（GordonMoore）提出来的。其内容为：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。这一定律揭示了信息技术进步的速度。但是，进入新世纪后，实现等比例缩减的代价变得非常高，器件尺寸已接近单个原子，而原子无法缩减。其次，尽管目前出现了多内核处理器，但日常使用的应用软件无法利用如此强大的处理能力；而建设芯片工厂的天价成本也阻碍摩尔定律了的延伸。摩尔本人也明确表示，摩尔

2、定律只能再延续十年，此后在技术上将会十分困难，在他看来，摩尔定律已经走到尽头。由此将引起产业内的一系列的变革。新摩尔定律当今业界的发展趋势不是一味地追求缩小器件的几何尺寸，而是倾向于提供更多的附加功能和特性，从而开辟全新的应用领域，为客户提供多元化服务及开发工具，实现超越摩尔定律的目标。超越摩尔定律的主要3种方式有：垂直3D封装，平面Fan-out封装和CoWoS先进封装概述垂直3D封装：三维封装是将多个芯片垂直连接的一系列方法的统称，硅通孔封装技术（TSV）作为主流方案得到了迅猛发展。硅通孔技术(TSV)是通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的

3、最新技术。Fan-out封装：Fan-out封装是与扇入型封装（fan-in）相对的一种先进封装工艺，引脚的扇出增加了I/O，同时可以实现多功能芯片的组合，引用的工艺则为CMOS成熟工艺CoWoS封装：CoWoS封装是结合了Fan-out和3D封装的一种更先进的封装形式，垂直封装通过TIV实现层与层之间的互联，使封装之后的芯片功能更多，能耗更少先进封装的优势大幅度节约成本省略基板工艺，省略后道封装COST芯片工艺良率大幅度上升YEILD半导体成熟工艺Fan-out采用KGD芯片可靠性高reliability.高精度成熟工艺electrical电性能好省略了芯片与基板、芯片与芯

4、片直接的WirebondSIP/SOC芯片集成度高可以将多种功能芯片集成在一块2应用3DICIntegrationDRAM,HybridMemorychipHighBandwidth3DMEMS/IC3DHybridMemoryCubestackingMemory(HBM)IntegrationIntegration(HMC)(CoWoS)SamsungMass-ProducesIndustry'sFirstTSV-basedDDR4DRAMHybridMemoryCube(HMC)Thehybridmemorycubeisa4-DRAM(eachonewith2000+T

5、SVs)onalogiccontrollerTheTSV-DRAMis~50-μmthick.TheTSV-DRAMiswith20-μm(tall)Cupillar+soldercap.ThememorycubeisassembledoneDRAMatatimewiththermalcompressionbonding.Theheatdissipationisfrom10Wto20W.TSVdiameter~5to6-μm.Intel’s“Knight’sLanding”with8HMCFabricatedbyMicronAMD’sgraphcardmadebyH

6、ynix’sHBM,whichisTCBoftheNCFDRAMchipsonebyoneMemoryChipStackingwithTSVformemorycapacity,lowpower,andwidebandwidth.HBMwith~2100TSVs+MicrobumpsandThermalMechanicalBumpsFingerprintidentificationCMOSImageSensorMEMStoASICSystemIntegration:PackagingandTestingtowards“FullWaferLevel”MEMStoASICSyste

7、mIntegrationNvidia’sP100withTSMC’sCoWoSandSamsung’sHBM2Fan-out50%+AdvancePackageINSMARTPHONE01IncludeWLCSP/Fan-out/CoWoS/POP/SoC…02EX.SANMSUN/IPHEONE/HUAWEI/MI……PoPfortheMobileDRAMsandApplicationProcessorofiPhone7/7+PopfortheMobileDRAMsandApplicationProc