植入型心律转复除颤器植入技术(icd)

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1、概述:植入型心律转复除颤器植入技术(implantablecardiovertor-defibrillator,TCD)是近20多年來经大量的临床实践和循证医学证实的治疗恶性室性心律失常及预防心脏猝死的有效手段。ICD在人体内能在数秒钟内检测到危及生命的室速和（或）室颤，并进行相应的治疗。1CD的植入技术主要根据导线的植入方式分为幵胸植入和经静脉植入。目前临床上已普遍釆用经静脉植入技术适应症：1.T类适应证（1）因室速、室颤引起的心脏骤停，除外暂时性、可逆性原因（A）。（2）自发性持续性室速，合并器质性心脏病（B）。（3）不明原

2、因的晕厥，合并电生理诱发出持续性室速，血流动力学不稳定，药物治疗无效、不能耐受药物治疗（B）。（4）非持续性室速，有冠状动脉疾病、心肌梗死病史，合并左心室功能低下，电生理检查诱发出持续性室速或室颤，1类抗心律失常药不抑制其发作（BA）o2.II类适应证（1）Ila类适应证：左心室功能低下，LVEF<30%，心肌梗死后1个月，冠状动脉旁路移植术后3个月（B）。（2）lib类适应证①临床推测心脏骤停是由于室颤引起，而由于其他原因不能行电生理检査（C）。②等待心脏移植，因室速产生严重症状（晕厥）（C）。③家族性或遗传性的高危状况导致致

3、命性室性心动过速如长QT综合征、肥厚性心肌病（B）。④非持续性室速，合并冠状动脉疾病，心肌梗死病史、左心室功能低下者，电生理检査诱发出持续性VT/VF（B）。⑤不明原因晕厥，Jb功能低下，电生理检查诱发出室性心律失常（C）。⑥不明原因晕厥，家族中有猝死史，合并KBBB+ST抬高（Brugada综合征）（C）。⑦晕厥合并进展型器质性心脏病，病因难以确定（C）。3.III类适应证（1）原因不明的晕厥，没有可诱发的室性快速心律失常，也无器质性心脏病。（2）无休止的室速或室颤。（3）外科手术或导管消融可治疗的室速或室颤，例如伴随预激综合

4、征的房性心律失常、右心室流出道室速、特发性左心室室速或分支性室速。（4）由于一过性或可逆性病症（如急性心肌梗死、电解质紊乱、药物、创伤）所致的室性快速心律失常，而上述病症能被纠正使危险性降低。（5）明显的精祌性疾病，可能被器械楨入术所加重，或是不能进行系统的随访。（6）预期生存期＜6个月的终末性疾病。（7）有左心室功能障碍和QRS波群吋限延长而无自发的或可诱发的持续性或非持续性室速的、准备进行紧急冠状动脉旁路手术的冠心病患者。（8）NYHA分级IV级的、非等候心脏移植术的药物难治性充血性心力衰揭患者。适应证的进展。2006年美国

5、心脏病学会/美国心脏协会/欧洲心脏病协会关于《室性心律失常治疗和心脏性猝死预防指南》将1CD作为心脏性猝死的一级预防。心肌梗死后超过40d,左心室功能不全，如LVEF彡30%〜40%,NYHA分级II/I1I级，接受长期优化的药物治疗，预期良好存活彡1年，是TCD治疗作为一级预防以减少心脏性猝死的I类适应证，证据等级为A;非缺血性心脏病患者，如LVEF彡30%~35%，NYHA分级II/III级，接受长期优化的药物治疗，预期良好存活彡1年，是1CD治疗作为一级预防以减少心脏性猝死的1类适应证，证据等级为B。近年来适应证的进展主要

6、是从早期关注室性心律失常，至目前主要关注心功能为评估的依据。操作和演示步骤：【术前准备】1.人员需要一组从事心脏起搏及电生理检查和治疗并有丰富经验的专科医师；还要配备有经验的护理人员，包括心内科护士及心导管室护士；放射科技术员；麻醉医师；另外ICD厂家专业技术人员。2.器械拟应用的TCD系统，导线应有主动固定导线的备用品；静脉穿刺针及撕开鞘（根据导线决定型号）；常规起搏器植入时的手术器械；C形臂心血管造影机等。3.监测、抢救设备心电监测仪或多导电生理记录仪；体外除颤仪，最好有两台备用，其中一台有贴片除颤电极；血氧饱和度监测仪；气

7、管插管、麻醉机及吸引器等备用。4.患者及家属准备向患者及家属详细介绍ICD适应证；术前、术屮和术后可能出现的并发症；1CD治疗与基础心脏病的关系；术后对基础心脏痫相应治疗及抗心律失常药物治疗的重要性：患者术前4h禁食；适时停用抗血小板、抗凝药物及抗心律失常药物（5个半衰期）；改善心功能和全身基础情况（电解质、出凝血吋间等）；常规备皮；留置软细胶管静脉输液通路；术前谈话并签署知情同意书。5.药物准备除局部麻醉药物外，主要备用心肺复苏、抗心律失常药物及心导管室常用药物。【手术方法】1.TCD导线植入静脉径路：左、右侧静脉径路均可选，

8、包括头静脉、锁骨下静脉、腋静脉及颈部静脉等，常用左侧锁骨下静脉或头静脉。1.囊袋制作：部位可选胸前区切口或腋区切口，以前者为常用；根据患者胸前皮下组织情况可将囊袋制作在皮下或肌肉内囊袋；临床上常用左侧胸前皮下制作囊袋。2.ICD导线植入：与普通右心室导线植入技术