氧化还原响应型中空介孔SiO2的制备及性能研究

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1、本科毕业设计（论文）题目：氧化还原响应型中空介孔SiO2的制备及性能研究学生姓名：赵西玉学号：1309050219专业班级：材料物理1302班指导教师：胡松青2017年6月18日中国石油大学（华东）本科毕业设计(论文)氧化还原响应型中空介孔SiO2的制备及性能研究摘要氧化还原响应型的中空介孔二氧化硅（HMSS）具有空腔和介孔壳组成的分级结构，可用于高容量药物负载和控释。本文首先采用选择性蚀刻法制备HMSS并修饰氧化还原响应阀门；然后在HMSS内部负载缓蚀剂并用ZnO量子点封堵；采用扫描(SEM)和透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射(XRD

2、)、红外光谱(FT-IR)和热重分析（TGA）等表征HMSS的形貌和结构修饰；最后采用紫外光谱测定HMSS对缓蚀剂的响应释放规律。结果表明HMSS具有中空和介孔组成的分级结构，尺寸在300-400nm；平均孔径和表面积分别为4.0nm和894.26m2·g-1；表面修饰的HMSS能够实现缓蚀剂的负载和氧化还原响应释放；随着二硫化物还原剂的量的增加，释放量和释放效率逐渐增加。本研究结果对填充智能纳米容器的功能涂层制备具有重要指导意义。关键词：中空介孔二氧化硅；ZnO量子点；表面功能化；氧化还原响应；缓蚀剂负载和控释中国石油大学（华东）本科毕业

3、设计(论文)Researchofpreparationandpropertiesforredox-responsivehollowmesoporoussilicaAbstractRedox-responsivehollowmesoporoussilica(HMSS)hasahierarchicalmesoporousstructurecomposedofahollowcavityandmesoporousshellwhichisavailableforhighcapacitydrugstorageandcontrolledrelease.F

4、irstly,HMSSwaspreparedbyselectiveetchingmethodandmodifiedwiththeredox-responsivenanovalves.Next,thecorrosioninhibitorwasencapsulatedintheHMSSandcoveredbyZnOquantumdots(QDs).Then,themorphologyandstructuralfunctionalizationofHMSSwerecharacterizedbyscanning(SEM)andtransitione

5、lectronmicroscopy(TEM),X-raydiffraction(XRD),Fouriertransforminfraredspectroscopy(FT-IR)andthermogravimetricanalysis(TGA).Finally,theresponsivereleaseofcorrosioninhibitorwasdeterminedbyUVspectroscopy.ObtainedresultsrevealthatthepreparedHMSSexhibitsanaveragesizeof300-400nma

6、ndhasahierarchicalmesoporousstructurecomposedofahollowcavityandmesoporousshell.HMSShasanaverageporesizeof4.0nmandahighsurfaceareaof894.26m2·g-1.Thesurfacemodificationcanachievethesuccessfulloadingandre-doxresponsivereleasingofcorrosioninhibitor.Indetail,thereleasingefficie

7、ncygraduallyincreasedwiththeincreaseintheamountofthedisulfidereducingagent.Theresultsofthisstudyareofgreatsignificancetothepreparationoffunctionalcoatingsfilledwithintelligentnanocontainers.Keywords：Hollowmesoporoussilica；ZnOquantumdots；Surfacefunctionalization；Redoxrespon

8、se；Corrosioninhibitorloadingandcontrolledrelease中国石油大学（华东）本科毕业设计(论文)目录第1章绪论11.1介孔二氧化硅11.1