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时间:2018-09-04
《应用于phemt器件的深亚微米t形栅光刻技术》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、显微、测量、微细加工技术与设备!"#$%%’(,!()&*$(+(,-,!"#$%.)/$"#)-"%,012*"’+(,-应用于!"#$%器件的深亚微米%形栅光刻技术谢常青,陈大鹏,李兵,叶甜春(中国科学院微电子中心,北京!"""!")摘要:#$%&’器件和基于它的高频单片集成电路广泛应用于现代微波(毫米波系统。当#$%&’器件的栅长缩短到足够短的时候,沿着栅宽方向的寄生电阻会影响#$%&’器件的性能。为了解决这个问题,一种具有大截面面积而底部长度却很小的’形栅结构通常被用于制作#$%&’器件,因为这种结构可以有效地减少由于栅寄生电阻
2、而引起的晶体管噪声。对几种常用的制作深亚微米’形栅的三种光刻技术即光学光刻、电子束光刻、)射线光刻技术进行了比较分析。对于光学光刻技术,通常需要采用移相和光学邻近效应校正技术,它的制作成本低,但是很难用于制作深亚微米’形栅;对于电子束光刻技术,通常需要采用高灵敏度和低灵敏度的多层胶技术,虽然它的栅长可以制作到非常小,但是它的生产成本非常高,而且它的生产效率非常低;对于)射线光刻技术,它不仅可以用于制作深亚微米’形栅,而且它的生产效率非常高,’形栅的形状可以非常容易控制。关键词:#$%&’;’形栅;光学光刻;电子束光刻;)射线光刻中图分类号:
3、!"#$%&’文献标识码:(文章编号:)*’)+,’’*(-$$-)$’+$$#.+$,!""#$%&’()*+,-.$%/0#"1203"4)3/,2+0#/53"*/-,4,256,+789:.1";)*"/0123456+7856,291":4+;<56,=0>856,?1!845+@3A5(!"#$%&’($%)"#*+,-.&)(&$,/0&.0")&*&1#23&45%67#"&)#&*,8&"9"):)$$$)$,.0")2)<’%3+0*3:BC4、IEG(B91L!)D5、34;6、/+G4KH8I3E6G4;3KAC7、8IKG?@ABAACDEFG/=>HE@=EKA8、>?.GAFEAB@HO?G<=>?@ABAACDEFG/=>=A.@IJOIAP=GIA@
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