模拟电子技术课程教学大纲

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1、《模拟电子技术》课程教学大纲一、课程基本信息课程代码：210391课程名称：模拟电子技术英文名称：AnalogElectronicTechnology课程类别：学科基础课学时：讲授课时66，实验课时24，总学时90学　　分：4.5适用对象：电子、通信专业大二学生考核方式：考试先修课程：高等数学、电路理论二、课程简介《模拟电子技术》是电子通信类专业的一门主要技术基础课。主要研究半导体器件的性能、参数，模拟电子线路的基本原理、分析方法及其计算。能使学生掌握分析和设计实际模拟电路的能力，并为后续的专业课打下基础。“AnalogElectronicTechnology”isoneofimpo

2、rtantbasiccoursestoElectronicsandTelecommunicationEngineeringspecialties.Thecoursemainlytalksaboutthecharactersandparametersofsemiconductors,andthebasicprinciple,analysismethod,calculationmethodofanalogelectroniccircuits.Bythecourse,studentswillmastertheanalysisanddesignabilitiesofpracticalanal

3、ogcircuits,andhavethebasisknowledgeforthecomingspecialtycourses.三、课程性质与教学目的《模拟电子技术》是电子类专业学生必修的专业课程，与《数字电子技术》一起构成电子技术基础知识的两大部分。本课程授课对象是电子信息工程专业以及电子信息工程通信工程方向专业大二本科生，目的是让学生掌握电子技术基础的“模拟”部分，培养学生阅读、分析、估算模拟电子电路的能力，并具有一定的方案选定和安装调试能力。四、教学内容及要求第一章常用半导体器件（一）目的与要求1．了解半导体的基础知识，学习杂质半导体和PN结；2．掌握半导体二极管的工作原理、特

4、性曲线和主要参数；3．掌握晶体管的工作原理、特性曲线和主要参数。（二）教学内容第一节1．主要内容主要介绍半导体的基础知识。包括本征半导体的物理和化学特性；如何制造杂质半导体及杂质半导体的物理特性；PN结的结构及其在正、反向电压下的内部特性。1．基本概念和知识点基本概念：自由电子与空穴、扩散与漂移、复合、多子、少子、空间电荷区、PN结、耗尽层。知识点：在本征半导体中掺入不同杂质就形成N型半导体和P型半导体，控制掺入杂质的多少就可有效地改变其导电性，从而实现到电性能的可控性。半导体中有两种载流子：自由电子和空穴。载流子有两种有序的运动：因浓度差而产生的运动称为扩散运动，因电位差而产生的运

5、动称为飘移运动。将两种杂质半导体制作在同一个硅（锗）片上，在它们的交界面上，上述两种运动达到动态平衡，形成PN结。2．问题与应用（能力要求）要求学生了解杂质对P型、N型半导体内部载流子的影响；PN结的耗尽层在正向、方向电压下的厚度变化。第二节1．主要内容主要详细地描述了二极管。包括：二极管的常见结构；二极管的伏安特性、主要参数及其等效电路；稳压二极管的稳压原理；其它类型的特殊二极管。2．基本概念和知识点基本概念：开启电压、二极管的等效电路、光电二极管、发光二极管。知识点：PN结经封装并引出电极后就构成二极管。二极管的单向导电性（二极管加正向电压时，产生扩散电流，电流与电压成指数关系；

6、加反向电压时，产生飘移电流，其数值很小）。利用PN结击穿时的特性制成稳压二极管。特殊二极管和普通二极管一样具有单向导电性。3．问题与应用（能力要求）要求学生掌握二极管（包括普通二极管、稳压二极管和特殊二极管）电路的分析方法。第三节1．主要内容主要介绍了晶体管。包括：晶体管的结构；晶体管的电流放大作用；晶体管的共射输入输出特性曲线；晶体管的主要参数；温度对晶体管特性和参数的影响。2．基本概念和知识点基本概念：NPN型和PNP型晶体管、正向偏置、方向偏置、电流放大倍数、输入特性曲线、输出特性曲线、截止区、放大区、饱和区。知识点：晶体管具有电流放大作用。当发射结正向偏置而集电结反向偏置时，

7、从发射区注入到基区的非平衡少子中仅有很少部分与基区的多子复合，形成基极电流，而大部分在集电结外电场作用下形成漂移电流，体现出IB对IC的控制作用，从而定义了晶体管的电流放大倍数。晶体管的输出特性曲线有截止、放大、饱和三个区域，晶体管三个电极的电压决定了晶体管工作在这三个区域中的哪一个。特殊三极管与晶体管一样具有电流放大特性。温度对晶体管放大倍数的影响。1．问题与应用（能力要求）要求学生能通过分析晶体管的三个电极的电压关系分析晶体管处于何种状态。（一）课后练