中电智能卡 cob工艺流程简介

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1、中电智能卡有限责任公司CSP及COB产品封装工艺简介专业封装协作，共创商业价值中电智能卡有限责任公司简介国内专业智能卡及模块制造企业。下设COB封装厂、模块厂和卡厂，专业生产各种接触、非接触、双界面模块，双界面卡片，TF卡，大容量SIM及U-KEY等；公司年生产能力为：IC卡4亿张,接触和非接触模块5.1亿块，大容量SIM和TF卡2000万张。完整的生产管理和质量控制体系，已获得ISO9000国际质量管理体系认证、中国移动SIM卡生产许可、国家质量监督局IC卡生产许可等多种资质。公司良好的信誉和先进的生产技术，获得工信部和公安部认可，被指定为第二代身份证专用模块生产厂

2、。坚持“严格管理、规范操作、用户至上、创新技术、快速行动”的经营理念，用先进的制造技术，为国内外用户累计制造各种IC卡模块约30亿块，IC卡约15亿张。专业封装协作，共创商业价值中电智能卡有限责任公司COB封装厂一、CSP封装工艺流程简介二、CSP技术应用于智能卡模块的生产优势三、COB封装工艺流程简介四、SIMpass/SDpass案例介绍五、COB封装厂产品介绍六、合作伙伴专业封装协作，共创商业价值一、CSP封装工艺流程介绍工艺介绍CSP（ChipScalePackage），即芯片级封装，具有封装尺寸小，导电性能和散热性能好，制造工艺成熟等一系列的优点。实用新型

3、专利：ZL201120052387.7；ZL201120039928.2；ZL201120193894.2。发明专利：ZL20110039517.8倒贴装专业封装协作，共创商业价值一、CSP封装工艺流程介绍流程介绍Wafer减薄RDL+SOLDER+划片印刷粘结剂芯片倒贴装FlipChip加热固化curing点胶固化测试Test专业封装协作，共创商业价值一、CSP封装工艺流程介绍---RDL(重新布线技术)已钝化圆片涂覆BCB(或PI)光刻新/老焊区溅射UBM(如Ti-Ni-Cu)光刻UBM,使新/老焊区布线相连二次涂覆BCB(或PI)光刻新焊区窗口电镀(或印刷)焊料(膏

4、)再流,形成焊料球WLP完成WLP测试/贴装/打印等专业封装协作，共创商业价值一、CSP封装工艺流程介绍---FlipChip工艺目的FlipChip(倒封装工艺)通过倒封装技术将植球后的晶圆级芯片倒贴到载板焊点上,实现芯片与载板的电性导通.工艺步骤1.印刷粘结剂.2.芯片倒贴装.3.加热固化.4.点胶固化.上手臂完成贴片下手臂拾取芯片上手臂接取芯片专业封装协作，共创商业价值二、CSP技术应用于智能卡模块的生产优势传统载带模块工艺CSP模块工艺CSP模块工艺中RDL+Solder是晶圆减薄磨片晶圆减薄磨片对整个WAFER的布线植球，加工效率极高；采用成熟的半导体倒

5、贴Wafer划片RDL+SOLDER装工艺和点胶固化，成本降低。芯片正面贴装Wafer划片传统载带模块工艺需要进行WB和UV包封，均为单颗模块生产，热固化芯片倒贴装整体生产工艺较为繁琐且效率低、金丝、包封材料成本高。WB引线键合加热固化UV包封/塑封点胶固化固化后产品固化后产品专业封装协作，共创商业价值二、CSP技术应用于智能卡模块的生产优势1、可靠性高1.1芯片的粘结牢固程度高，避免了传统工艺贴片+包封的缺点。1.2导通性能好，避免出现传统工艺的金线键合拉力问题。1.3散热性能好。1.4允许芯片厚度大，降低减划裂片风险，提高产品可靠性。1.5耐高温性能好。2、生产效率高

6、现有CSP生产线均采用成熟半导体封装技术，设备稳定可靠，生产流程短，成品模块的出货周期较短。3、成本降低传统载带为FCI法国进口，其来料成本较高。而CSP使用国产基板，交货及时，产品性价比高。专业封装协作，共创商业价值三、COB封装工艺流程简介Wafer减薄划片装片压焊SMT贴件Die-bondingWire-bonding电路图和基板设计制作（PCB）塑封激光切割测试直线切割MoldingLasercuttingTestiPackagesawing专业封装协作，共创商业价值四、SIMpass/SDpass案例介绍---工程设计及wafer减划工程设计：工程设计是一个项目

7、的起点，主要分为两类情况1.客户提供电路设计，我司完成拼版设计2.客户提供原理图后由我司设计电路图和拼版图Wafer减薄划片：芯片减划厚度主要由以下三个方面决定1.产品厚度；2.叠层需求；3.芯片自身制程能力。专业封装协作，共创商业价值四、SIMpass/SDpass案例介绍---SMT贴件工艺能力1.可贴装元器件尺寸---Min01005封装，常规0201、0402、0603（英制）2.MicroChip贴件精度(Accuracy):±50um；3.可使用PCB基板尺寸：L50mmXW30mm---L610m