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1、Hi3535硬件设计Checklist文档版本00B04发布日期2014-04-02版权所有©深圳市海思半导体有限公司2013-2014。保留一切权利。非经本公司书面许可,任何单位和个人不得擅自摘抄、复制本文档内容的部分或全部,并不得以任何形式传播。商标声明、、海思和其他海思商标均为深圳市海思半导体有限公司的商标。本文档提及的其他所有商标或注册商标,由各自的所有人拥有。注意您购买的产品、服务或特性等应受海思公司商业合同和条款的约束,本文档中描述的全部或部分产品、服务或特性可能不在您的购买或使用范围之内。除非合同另有约定,海思公司对本文档内容不做任何明
2、示或默示的声明或保证。由于产品版本升级或其他原因,本文档内容会不定期进行更新。除非另有约定,本文档仅作为使用指导,本文档中的所有陈述、信息和建议不构成任何明示或暗示的担保。深圳市海思半导体有限公司地址:深圳市龙岗区坂田华为基地华为电气生产中心邮编:518129网址:http://www.hisilicon.com客户服务电话:+86-755-28788858客户服务传真:+86-755-28357515客户服务邮箱:support@hisilicon.comHi3535硬件设计Checklist前言前言概述本文档主要介绍Hi3535芯片方案的硬件Ch
3、ecklist。产品版本与本文档相对应的产品版本如下。产品名称产品版本Hi3535芯片V100读者对象本文档(本指南)主要适用于以下工程师:ò技术支持工程师ò单板硬件开发工程师修订记录修订记录累积了每次文档更新的说明。最新版本的文档包含以前所有文档版本的更新内容。修订日期版本修订说明2014-04-0200B04第1章Checklist1.7VO接口与视频接口电路设计要求中新增BT.1120信号高8bit和低8bit关于YC信号的描述。1.15EFuse模块设计要求中修改下拉电阻的阻值。海思专有和保密信息文档版本00B04(2014-04-02)i
4、版权所有©深圳市海思半导体有限公司Hi3535硬件设计Checklist前言修订日期版本修订说明2013-11-1200B03第1章Checklist1.1芯片电源地的设计要求修改描述。2013-09-3000B02第1章Checklist1.1芯片电源地的设计要求修改上电顺序。2013-08-3100B01初始版本。海思专有和保密信息文档版本00B04(2014-04-02)ii版权所有©深圳市海思半导体有限公司Hi3535硬件设计Checklist目录目录前言............................................
5、.......................................................................................................i1Checklist.........................................................................................................................................11.1芯片电源地的设计要求.............
6、....................................................................................................................11.2主芯片时钟电路设计要求.............................................................................................................................11.3复位电路设计要求..........
7、...............................................................................................................................21.4小系统设计要求............................................................................................................................................
8、.21.5SPI/Nandflash....................................
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