三点弯曲法探究深冷处理对钛瓷结合力的影响

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1、三点弯曲法探究深冷处理对钛瓷结合力的影响张金云王丽红链山西医科大学第一医院口腔科运城市中心医院口腔内科山西医科大学口腔医学系目的研宄深冷处理技术对铸造纯钛烤瓷金瓷结合力的影响，探讨改善钛瓷结合强度的新技术，以期延长纯钦烤瓷的临床使用寿命，并提供理论和试验依据。方法试件尺T依据TS09693J999标准制备。先制备纯钛铸造试件，之后随机分为对照组（A组）、烤瓷前深冷处理组（B组）和烤瓷后深冷处理组（C组）3个组，分别按顺序完成深冷处理及瓷层的堆槊烧结后，在电子万能试验机上对纯钛烤瓷试件依次进行3点弯曲测试，对测

2、得的数据运用统计学软件进行分析。结果3点弯曲测试结果:各组试件的钦瓷结合强度分别为乂组（30±5）MPa,B组（31±5）MPa,C组（36±4）MPa,各组间的差异有统计学意义（P〈0.05）。C组的结合力高于其他2组，差异有统计学意义（P〈0.05）,而B组与A组的结合力强度差笄无统计学意义（P〉0.05）。结论深冷处理技术有利于纯钛烤瓷钛瓷结合强度的提高。关键词：牙科铸造技术;深冷处理;钛瓷结合力;三点弯曲试验;但在烤瓷熔附温度下，纯钛表面易形成多孔松散、附着性差的氧化膜，导致其与陶瓷材料的结合强度低于钴

3、、铬、镍等传统金属U1，在使用一段时间后，更容易发生烤瓷修复体的瓷剥脱和崩瓷，大大缩短了使用寿命。近年来，国内外多数学者在改善纯钦烤瓷修复体钦瓷结合强度方面进行了多种方式的研究［2-6］，但各种处理方式均有其不足之处，仍需寻找一种更好的处理方式。深冷处理（cryogenictreatment）是将材料在冷却介质（如液氣）中按照一定的温度曲线处理一段时间，控制处理温度低于-13（TC，诱发材料内部组织细微变化和应力重新分布，从而改善材料性能，延长使用寿命m。木研宄课题探讨深冷处理技术对牙科用铸造纯钦烤瓷修复体钦瓷

4、结合强度的影响，以期延长纯钛烤瓷修复体的临床使用寿命。1材料与方法1.1材料和设备铸造薄蜡片（上海医疗器械股份有限公司齿科材料厂）、铸造用纯钛材料（北京西京医疗设备有限公司）、VHATTTANKERAMTK钛瓷粉（德国）、纯钛专用包埋材（洛阳北苑特种陶瓷有限公司）、金相砂纸（600、800、1000、1200、1500、2000号，上海敏新检测仪器有限公司）、自凝树脂材料（江苏常熟）：纯钛铸造机（北京西京医疗设备有限公司）、真空烤瓷炉（徳国）、茂福炉（天津通达医疗设备有限公司）、笔式喷砂机（意大利，SILFRA

5、DENT）、DEMCO高速切割机（美国）、游标卡尺（上海恒量牌）、液氮生物容器（成都金凤液氮容器厂）、PG-1A型金相试祥抛光机（东莞市艾格电子科技有限公司）、电子万能试验机（1NSTR0N,美国）。1.2实验方法1.2.1纯钦铸造试件的制取：采用常规失蜡铸造法铸造。根据TS09693:1999标准，铸造用薄蜡片切割，冷藏,包埋，硬固，烧结，冷却至10CTC,真空离心铸造，冷却至室温，分离铸型与包埋材，喷砂机去除表而氧化膜及包埋材。铸件切割，打磨，抛光至镜而光滑。室温放置15min,清洗，吹干。操作由同一名实验

6、人员完成，避免用手直接接触试件，利用游标卡尺控制误差在±0.01mm。纯钛铸件随机分为空白对照组（A组）、烤瓷前深冷处理组（B组）和烤瓷后深冷处理组（C组），每组14件。1.2.2深冷处理过程：本实验采用慢速循环深冷处理+回火处理。慢速循环深冷处理+回火处理过程:慢速深冷处理一回火处理一慢速深冷处理一回火处理一慢速深冷处理一回火处理。其中慢速深冷处理过程:室温（20°C）—液氮（_196°C）液平面以上，蒸气熏蒸0.5h—液氮（-196D液平面以下，浸没0.5h—液氮（-196D液平面以上，蒸气熏蒸0.5h—室

7、温（20°C）（图1）。1.2.3试件的上瓷:选择纯钦铸造试件25mmX3mm面的一侧作为上瓷面。选用VITATI-TANKERAMIK纯钦专用瓷粉，按厂家说明书介绍，依据TSO9693:1999标准，在试件表面中央8mm的区域堆瓷，瓷层尺寸为8mmX3mmXlmm。最终形成的瓷层总的厚度控制在1.（hnm左右，误差控制在±0.01mm。见表2。烤瓷过程全部由同一名人员完成。图1深冷处理示意图1.33点弯曲测试试验从各组的纯钛烤瓷试件中分别选取13件，分组别依次进行3点弯曲测试。依据ISO9693:1999标准

8、，利用万能试验机，瓷层朝向下方，试件的两端分别罝于间隔20mm、直径为1.0mm的支持物上，在试件金属侧的中央用刃U曲率半径为1.0mm的电子探头施加压力，方向垂直于钱资界面，设定0.5mm/min的恒定加载速率，记泶试件瓷层末端开始断裂时的瞬间加载断裂力值（Ffail）。继续加载试件，直至瓷层从纯钛表面完仝剥离开，肉眼下观察钛瓷断裂面的宏观形貌。钛瓷间结合强度的计算公式为:rb=k•