《变频器世界》_asp(inverter world _asp)

《变频器世界》_asp(inverter world _asp)

ID:8541796

大小:39.50 KB

页数:15页

时间:2018-03-31

《变频器世界》_asp(inverter world _asp)_第1页
《变频器世界》_asp(inverter world _asp)_第2页
《变频器世界》_asp(inverter world _asp)_第3页
《变频器世界》_asp(inverter world _asp)_第4页
《变频器世界》_asp(inverter world _asp)_第5页
资源描述:

《《变频器世界》_asp(inverter world _asp)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、《变频器世界》_asp(Inverterworld_asp)Inverterworld

2、,

3、,

4、,

5、,

6、,

7、,

8、,

9、,

10、,

11、readers,

12、,

13、,

14、,

15、,

16、,

17、,

18、,

19、,

20、,

21、,

22、and

23、Lowvoltageinverterproductcategories:generalfrequencyconvertertoengineeringtypeelevatorspecialinverterpumpingunitforspecialairconditioningwithwatersupplyforpumpelevatorspecialtextilemachineryforinjectionm

24、oldingforinverteraccessoriesotherHighvoltageinverterproductcategory:currentsourcetypeunitseriesmulti-levelthreeleveltypeotherRelatedcategory:powerelectronicmotordriveservosystempowersupply2011Chinalowvoltageconvertermarketresearchreport2011Chinahighvoltageinvertermarketresearchreport-pleaseselect-

25、thenumberofkeywordsfortheauthor_uacct="UA-154698-6";UrchinTracker();_uacct="UA-154698-8";UrchinTracker();Thefunctionsetothers(others,others_txt){varElem=document.GetElementById(others_txt)If(document.GetElementById(others).Checked==true){elem.Style.Thedisplay=""}theelse{elem.Style.Thedisplay="none

26、"}//elem.Style.Thedisplay=elem.Style.css.Display=="none"?"":"none";}thefunctionSetvalue(others,others_txt){varelem=document.GetElementById(others)If(document.GetElementById(others_txt).Thevalue.Thelength>1)Elem.Value=document.GetElementById(others_txt).Thevalue;}Location:homepage->systemapplicatio

27、n->contentSoftfeatures650VIGBT:lowemiandvoltagepeakoptimizationdevicesTheOptimizedDeviceforReducedEMIandLowdeltaVAuthor:infineontechnologiesco.,WilhelmRuscheAndreasHZhuotlMarcoBLvesler[expertcomments]1theintroductionThisdeviceisspeciallydesignedforhighcurrentapplications.Comparedto600vigbt3,thenew

28、chiphasbettershutoffsoftnessandhigherblockingvoltage.Inaddition,theshortcircuitcapabilityofthedevicehasbeengreatlyenhanced.The600vIgbt3mainlyappliestolowpowerapplicationsorhighpowerapplicationswithlowdissipationinductance.FIG.1thesectionofthenew650vigbt4Designandtechnologyof2,650vigbt4Brandnew650v

29、Igbt4[1]adoptschannelMOS-top-cellwafertechnologyandfieldterminationconcept,asshowninfigure1.Thecombinationofgrooveandfieldterminationtechnologyleadstorelativelylowgeneralandcut-offlosses.Comparedwiththe600vIgbt3,

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。