《变频器世界》_asp

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11、nTracker();_uacct="UA-154698-8";urchinTracker();functionsetothers(others,others_txt){varelem=document.getElementById(others_txt)if(document.getElementById(others).checked==true){elem.style.display=""}else{elem.style.display="none"}//elem.style.display=elem.style.display=="none"?"":

12、"none";}functionsetvalue(others,others_txt){varelem=document.getElementById(others)if(document.getElementById(others_txt).value.length>1)elem.value=document.getElementById(others_txt).value;}所在位置：首页->系统应用->内容软特性650VIGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件SwitchinginSilence650VIGBT4:theOptimizedDevicef

13、orReducedEMIandLow△V作者：英飞凌科技股份公司WilhelmRuscheAndreasH鋜tlMarcoB鋝sler[专家点评]1引言该器件专门设计用于中高电流应用。相对于600vigbt3，全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外，该器件的短路能力大幅增强。而600vigbt3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。图1全新650vigbt4的截面图2650vigbt4的设计与技术全新的650vigbt4[1]采用沟槽mos-top-cell薄片技术和场终止概念，如图1所示。沟槽与场终止技术的结合，带来相对低的通态和

14、关断损耗。相对于600vigbt3，该芯片的厚度增加约15%，mos沟道的宽度降低约20%。因此，关断软度得以改进，从而降低电磁干扰。当然，这些措施也会引起额外损耗。为弥补这些负面影响，将背部射极的能效提高了50%。除了优化动态性能，阻断电压也提高了50v，达到650v。图2程的软度比较(在econodualtm3模块上测量)3650vigbt4动态特性的结果杂散电感与电流变化率的结合影响着器件的开通和关断电压特性，可以表示为vδ=l×di/dt。因此，如果器件关断时电感lσ较大，电压尖峰就会升高。关断行为对栅极电阻很不敏感。这是沟槽场截止igbt的一大特性

15、［6］。这种固有的igbt性能带来的后果是，需要采用集成igbt保护功能和/或吸收电容等其他组件的特殊驱动器。所有这些功能和组件增大了设计难度和成本。对于大电流场合，由于较高的di/dt，直流母线电路需设计极小寄生电感。因此，可选用具备软开关特性的专用igbt，例如全新的650vnigbt4。如图2所示，600vigbt3(快速)和650vigbt4(软度)在开关性能方面差别明显，采用高电流600aeconodualtm3模块进行对比。研究选用的是lσ=60nh的标准直流电路设计。这种设计对于高电流600vigbt3并不太合适[5]。因此，在25℃、300v

16、的直流电压下，对50%inom(ic=300a)电流关断时，600vigbt3会产生一个很高的过冲电压vce_max和阶跃振荡。相反，特别为这种高电流应用设计的650vigbt4，即使典型直流电压达到300v，仍然显示出平滑的关断特性和很低的过冲电压vce_max。图3电流突变对电磁干扰的影响；ff600r07me4(黑色曲线)软关断时电压曲线的fft与ff600r06me3(红色曲线)的电流突变开关事件在给定的测试设置中，600vigbt3器件达到了600v阈值，而650vigbt4显示出了530v的更小电压尖峰。除了降低电压尖峰，还提高了阻断电压功能vc

17、e_max，带来了关断时安全裕度增大的优势。igbt