毕业论文_新型介孔cnx的制备与表征及其催化应用

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1、本科毕业论文（2015届）题目新型介孔CNx的制备与表征及其催化应用学院医药化工专业化学（师范）班级2011级化学师范（1）班学号1132010003学生姓名尤国豪指导教师赵松林完成日期2011年4月17日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅。本人授权台州学院可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。本学位论文属于□保密，在一年后，解密适用本授权书。

2、□无密级。（请在以上相应方框内打“√”）作者签名：日期：年月日导师签名：日期：年月日摘要：本篇文章主要从介孔炭材料的功能、硬软模板合成方法、介孔氮掺杂炭材料的表征以及介孔氮掺杂炭材料的应用等方面的研究进展进行综述，并且提出了自己的问题。本文综述了氮掺杂炭材料的制备，在催化加氢中的反应。研究催化剂反应的应用，负载型催化剂的综合性能。关键词：氮掺杂；炭材料；催化Abstract:Thisarticlemainlyfromthemesoporouscarbonmaterialfunctions,hardandsofttemplatesynthe

3、sis,nitrogen-dopedmesoporouscarbonmaterialsresearchprogressandotheraspectsoftheapplicationofcarbonmaterialscharacterizationandnitrogen-dopedmesoporousreviewed,andputforwardtheirownproblems.Preparationofnitrogen-dopedcarbonmaterialsreviewedinthispaper,inthecatalytichydroge

4、nationreaction.Applications,theoverallperformanceofthecatalystresearchsupportedcatalysts.Keywords:Nitrogendoping;CarbonMaterials;Catalysis目录1前言12实验部分22.1实验仪器及试剂22.2分子筛的制备22.3介孔氮掺杂碳材料的制备32.4催化应用测试33结果与讨论43.1介孔氮掺杂碳的合成与表征43.1.1介孔氮掺杂碳的合成43.1.2介孔氮掺杂碳的表征43.2催化剂的氮吸附脱附作用的试验53.3X射

5、线光电子能谱谱53.4XRD64结论7参考文献8谢辞9新型介孔CNx的制备与表征及其催化应用医药化工学院化学师范学生：尤国豪指导教师：赵松林1前言碳材料目前一直受到人们的关注，碳材料的种类非常之很多，可以广泛的应用。不同类型的碳材料在成分、物理化学性质上也存在很大的差异。之后，各式各样的结构和形貌碳材料相继被合成出来。这也为介孔氮掺杂碳材料提供了契机，多孔碳材料的化学性质和孔隙结构通过掺杂就可以进一步改良碳材料的功能。诸多的实验研究表明氮元素是碳材料掺杂的理想元素，氮元素位于第五主族，在元素中期表中，与碳元素相邻，原子半径非常的接近，人们

6、已经积极地展开研究。在有序介孔碳中引入含氮功能基团的方法众多，可笼统分为直接合成法与后处理法。直接合成法包括硬模板法和软模板法。后处理功能化的范围非常广，主要包括干法与湿法化学修饰。目前介孔炭材料的合成主要分为软模板法和硬模板法。软模板法合成介孔炭的方法有两种：溶剂挥发诱导自组装法（EISA），水热合成法。本论文主要采用水热合成法，EISA法主要两个过程一个是自组装另一为高温热缩聚。一定温度下的炭源和模板剂反应是随着溶剂（主要使用乙醇）的挥发，两者的浓度会逐渐增大，随之在高温下发生缩聚即可得到有序复合体。通过在一定高温下和自产生压力下反应

7、实现晶体的生成，这种方法称为水热合成法。水热法的优点主要是可以解决常温下反应速率慢的问题，并且能实现大规模工业化生产。软模板法是采用有机超高分子当作模板剂，因为与碳源之间有较强的相互作用，所以能合成不同形貌和结构的掺氮有序介孔碳，因此通过这种方法具有很好的可控性和操作性，拥有良好的应用前景。而硬模板法制备则是介孔碳源于1998年Ryoo等人有序使用介孔氧化硅合成的方法。主要过程就是利用表面活性剂合成预成型的有序介孔氧化硅，然后煅烧或其他有效的方法去除其表面活性剂，达到所需要的无机盐前驱物的浸渍，随后立即在一定温度下矿化前驱物达到转变的目标

8、组分后，除去原固体模板这样就得到了所要求组分的负型介孔氮掺杂碳材料。当然为了得到更加高质量的有序介孔材料，则需具备两个条件：一是拥有良好的孔道连通性的介孔氧化硅模板，二是在孔道中的前驱体填充率