材料物理性能（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下青岛科技大学.docx

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材料物理性能（山东联盟）智慧树知到课后章节答案2023年下青岛科技大学青岛科技大学第一章测试1.关于影响材料导电性因素的描述合理的有（）。A:一般情况下，固溶体的电阻率高于组元的电阻率。B:冷塑性变形对金属电阻率的影响没有一定规律。C:“热塑性变形＋退火态的电阻率”的电阻率高于“热塑性变形＋淬火态”D:由于晶格振动加剧散射增大，金属和半导体电阻率均随温度上升而升高。答案:一般情况下，固溶体的电阻率高于组元的电阻率。2.一般情况下，当合金形成固溶体时其导电性（），并遵循50%原则。（）。A:不变B:下降C:先增加后下降D:增加答案:下降3.下列选项中不属于超导体性质的选项是（）。A:通量量子化B:完全导电性C:热释电性D:完全抗磁性答案:热释电性4.电介质极化类型有（） A:驰豫极化B:取向极化C:弹性位移极化D:空间电荷极化答案:驰豫极化;取向极化;弹性位移极化;空间电荷极化1.量子自由电子理论和能带理论均认为电子随能量的分布服从费密-狄拉克定律。（）A:对B:错答案:对第二章测试2.下面列举的磁性中属于强磁性的是（）。A:反铁磁性B:顺磁性C:亚铁磁性D:抗磁性答案:亚铁磁性3.关于影响材料铁磁性的因素，下列说法中正确的是（）。A:冷塑性变形使得μi增加B:温度升高使得MS、BR降低C:温度升高使得MS、BR、HC均升高D:冷塑性变形使得MS、BR、HC均降低。μ答案:温度升高使得MS、BR降低4.关于材料磁化过程的说法正确的是（）。A:在交换能的作用下，磁矩趋于平行反向排列B:磁畴壁迁移的实质是壁内原子磁矩的逐渐转向C:技术磁化是指在外磁场的作用下铁磁体被赋予磁性的过程D:为减小体系的能量，畴壁向静磁能较小的那个磁畴迁移，使静磁能较大的磁畴增大 答案:为减小体系的能量，畴壁向静磁能较小的那个磁畴迁移，使静磁能较大的磁畴增大1.关于铁磁性金属的磁致伸缩现象，下列说法正确的是（）。A:对于正磁致伸缩的材料，磁化强度将转向压应力方向B:磁致伸缩是由材料的形状各项异性引起的C:磁场退火将令磁畴在室温磁化时沿应伸长的方向预先伸长，磁致伸缩将不妨碍磁化，获得较高的磁导率D:对于负磁致伸缩材料，膨胀系数随温度变化曲线上存在负反常现象答案:磁场退火将令磁畴在室温磁化时沿应伸长的方向预先伸长，磁致伸缩将不妨碍磁化，获得较高的磁导率2.铁磁体的形状各向异性是由退磁场引起的。长棒状的铁磁体试样越（），形状各向异性越明显（）。A:短粗B:圆C:细长D:不规则答案:短粗第三章测试3.光与固体相互作用的本质有两种方式（）。A:偶极子取向极化B:离子极化C:电子极化D:电子能态转变答案:电子极化;电子能态转变4.影响材料折射率的因素有（）。 A:同质异构体B:材料元素的离子半径C:材料的内应力D:材料的结构、晶型答案:同质异构体;材料元素的离子半径;材料的内应力;材料的结构、晶型1.当α+γ=900时，tan(α+γ)=∞，RP=0，表示反射光中没有平行入射面的矢量成分，此时的入射角称为布儒斯特角（）。A:错B:对答案:对2.光在介质中光强随传播距离呈指数式增加（）。A:对B:错答案:错3.关于光谱下列说法正确的是（）。A:激发光谱指材料发射某一特定谱线（或谱带）的发光强度随激发光的波长而变化的曲线。B:发射光谱指在一定的激发条件下发射光强按波长的分布。C:能够引起材料发光的激发波长也一定是材料可以吸收的波长。D:材料吸收光之后一定会发射光，所以激发光谱=吸收光谱。答案:激发光谱指材料发射某一特定谱线（或谱带）的发光强度随激发光的波长而变化的曲线。;发射光谱指在一定的激发条件下发射光强按波长的分布。;能够引起材料发光的激发波长也一定是材料可以吸收的波长。第四章测试 1.德拜理论认为低温时，C与（）成正比（）。A:T-1B:T3C:TD:T2答案:T32.合金材料的导热机构是（）。A:光子B:声子C:电子和声子D:电子答案:电子和声子3.下列变化属于二级相变的是（）。A:固溶体有序—无序转变B:同素异构转变C:共晶转变D:纯金属的三态变化答案:固溶体有序—无序转变4.金属热导率和电导率之间遵循魏德曼-弗兰兹定律，其数学表达式为（）。A:T/ke=L0σB:σ/ke=L0TC:L0/σ=keTD:ke/σ=L0T答案:ke/σ=L0T5.格律乃森提出了固态的体热膨胀极限方程。指出一般纯金属由温度0K加热到熔点TM，膨胀量随熔点增加而增加（）。A:对B:错答案:错第五章测试 1.通过测量材料电阻率变化可以研究材料的内部组织结构及缺陷，下列叙述不正确的是。（）。A:直流四探针法主要用于电介质或绝缘体等高电阻率的测试B:与双电桥法相比较，电位差计法更适合于测试金属电阻随温度的变化C:利用电阻率的变化规律可以测量固溶体溶解度曲线D:利用电阻率的变化规律可以研究材料的疲劳和裂纹扩展情况答案:直流四探针法主要用于电介质或绝缘体等高电阻率的测试2.直流电位差计法和四点探针法测量电阻率均可以消除接触电阻的影响（）。A:对B:错答案:错3.用电阻法研究金属的晶体缺陷（冷加工或高温淬火）时电阻测量要在低温下进行。（）。A:对B:错答案:对4.热容分析中DTA是指差示扫描量热法（）。A:错B:对答案:错5.差示扫描量热法是在程序控制温度下测量处于同一条件下样品与参比物的温度差和温度关系的一种技术（）。A:对B:错答案:错