75A、650V igbt绝缘栅双极晶体管SGTP75V65SDB1P7_骊微电子

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士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书75A、650V绝缘栅双极型晶体管描述C2SGTP75V65SDB1P7绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场1G截止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于光伏，UPS，SMPS以及PFC等领域。3E特点75A，650V，VCE(sat)(典型值)=1.42V@IC=75A低导通损耗12快开关速度3TO-247-3L高输入阻抗TJmax=175C命名规则SGTP75V65SDB1P7士兰IGBT系列封装形式，如工业级P7：TO-247-3L电流规格，如：75表示75A等1,2,3…：版本号N：N沟平面栅NE：N沟平面栅带ESD空：标准二极管（Standard）T：FieldStop3和4M：标准二极管、全电流规格（StandardFull）U：FieldStop4+R：快速二极管（Rapid）V：FieldStop5B：快速二极管、全电流规格（RapidFull）W：FieldStop6S：超软二极管、全电流规格（SoftFull）X：FieldStop7D：合封二极管电压规格，如：R：集成二极管（RCIGBT）65表示650VL：超低速，推荐频率~2KHz120表示1200V等Q：低速，推荐频率2~20KS：标准，推荐频率5~40KF：高速，推荐频率10~60KUF：超高速，推荐频率40K~产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式SGTP75V65SDB1P7TO-247-3LP75V65SDB1无卤料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第1页

1士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书极限参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号参数范围单位集电极-射极电压VCE650V栅极-射极电压VGE±20VTC=25C150集电极电流ICATC=100C75集电极脉冲电流ICM300ATC=25°C150A二极管电流IFTC=100°C75A耗散功率（TC=25C）PD375W工作结温范围TJ-40～+175C贮存温度范围Tstg-55～+150C热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻（IGBT）RθJC0.4C/W芯片对管壳热阻（FRD）RθJC0.4C/W芯片对环境热阻（IGBT）RθJA40C/W杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第2页

2士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书IGBT电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集射击穿电压BVCEVGE=0V，IC=250µA650----V集射漏电流ICESVCE=650V，VGE=0V----50µA栅射漏电流IGESVGE=20V，VCE=0V----±100nA栅极开启电压VGE(th)IC=250µA，VCE=VGE3.24.04.8VIC=75A，VGE=15V，TC=25C--1.421.75V饱和压降VCE(sat)IC=75A，VGE=15V，TC=125C--1.55--V输入电容CiesVCE=30V--4823--输出电容CoesVGE=0V--131--pF反向传输电容Cresf=1MHz--21--开启延迟时间Td(on)--35--VCE=400V开启上升时间Tr--39--IC=75Ans关断延迟时间Td(off)--194--Rg=10Ω关断下降时间Tf--35--VGE=15V导通损耗Eon--1.56--感性负载关断损耗Eoff--1.07--mJTC=25C开关损耗Est--2.63--开启延迟时间Td(on)--32--VCE=400V开启上升时间Tr--24--IC=37.5Ans关断延迟时间Td(off)--219--Rg=10Ω关断下降时间Tf--33--VGE=15V导通损耗Eon--0.50--感性负载关断损耗Eoff--0.55--mJTC=25C开关损耗Est--1.05--栅电荷Qg--184--发射极栅电荷QgeVCE=520V，IC=75A，VGE=15V--33--nC集电极栅电荷Qgc--48--FRD电性参数（除非特殊说明，TC=25C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位IF=75A，TC=25C--1.551.9二极管正向压降VFMVIF=75A，TC=125C--1.48--二极管反向恢复时间TrrIES=75A，dIES/dt=200A/μs，--123--ns二极管反向恢复电荷QrrTC=25C--0.4--µC杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第3页

3士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书IGBT电性参数（TC=150C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位开启延迟时间Td(on)--40--VCE=400V开启上升时间Tr--86--IC=75Ans关断延迟时间Td(off)--272--Rg=10Ω关断下降时间Tf--80--VGE=15V导通损耗Eon--2.6--感性负载关断损耗Eoff--2.3--mJTC=150C开关损耗Est--4.9--开启延迟时间Td(on)--37--VCE=400V开启上升时间Tr--62--IC=37.5Ans关断延迟时间Td(off)--290--Rg=10Ω关断下降时间Tf--40--VGE=15V导通损耗Eon--0.78--感性负载关断损耗Eoff--1.08--mJTC=150C开关损耗Est--1.86--FRD电性参数（TC=150C）参数符号测试条件最小值典型值最大值单位二极管反向恢复时间TrrIES=75A，dIES/dt=200A/μs，--218--ns二极管反向恢复电荷QrrTC=150C--1.96--µC杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第4页

4士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书典型特性曲线图1.典型输出特性图2.典型输出特性300300VGE=9VVGE=9VVGE=11VVGE=11V250VGE=13V250VGE=13VVGE=15VVGE=15V)VGE=17V)VGE=17V(A(AC200C200II––流150流150电电极极电100电100集集5050共射极共射极TC=25°CTC=150°C00012345012345集电极-发射极电压–VCE(V)集电极-发射极电压–VCE(V)图3.典型饱和电压特性图4.传输特性100150TC=25°CTC=25°CTC=150°CTC=150°C80120))(A(ACCII–60–90流流电电极40极60电电集集2030共射极共射极VGE=15VVCE=10V000123051015集电极-发射极电压–VCE(V)栅极-发射极电压–VGE(V)图5.饱和电压vs.VGE图6.饱和电压vs.VGE1515共射极IC=40A共射极IC=40A)TC=25°CI=75A)TC=150°CI=75ACC(V(VEIC=150AEIC=150ACCVV1010––压压电电极极射射-发5-发5极极电电集集004812162048121620栅极-发射极电压–VGE(V)栅极-发射极电压–VGE(V)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第5页

5士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图7.饱和压降和温度图8.电容特性3.0100000IC=40A)IC=75A(VE2.5IC=150A10000CiesCV–)压2.0F1000电(pCoes极容射1.5电100-发Cres极电1.010共射极集共射极VGE=0Vf=1MHzVGE=15VTC=25°C0.51050100150110100壳温-TC(°C)集电极-发射极电压–VCE(V)图9.栅极电荷特性图10.导通特性vs.栅极电阻161000VCE=520VVCE=325V)VCE=130V(VE12G]Vs-n[压间电8时100tr极关射开td(on)-发极4栅共射极注：IC=75AVCC=400V，VGE=15VIC=75A，TC=25°C010040801201602000102030405060708090栅极电荷量–QG(nC)栅极电阻-RG(Ω)图11.关断特性vs.栅极电阻图12.开关损耗vs.栅极电阻1000010000Eon1000td(off)]s]nJ[u[Eoff间100耗1000时tf损关关开开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VIC=75A，TC=25°CIC=75A，TC=25°C11000204060801000102030405060708090栅极电阻-RG(Ω)栅极电阻-RG(Ω)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第6页

6士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图13.导通特性vs.集电极电流图14.关断特性vs.集电极电流1001000td(off)td(on)]s]s100ntrn[[间tf间10时时关关开开10共射极共射极VCC=400V，VGE=15VVCC=400V，VGE=15VRG=10Ω，TC=25°CRG=10Ω，TC=25°C1101020304050607080900102030405060708090集电极电流-IC(A)集电极电流-IC(A)图15.关断损耗vs.集电极电流图16.正向特性100001000Eon)]1000(A100JEoffMuF[ITC=150°C耗–损流关电TC=25°C开100向10正共射极VCC=400V，VGE=15VRG=10Ω，TC=25°C10101020304050607080900.00.51.01.52.02.53.0集电极电流-IC(A)正向电压–VFM(V)图17.反向恢复时间vs.正向电流图18.反向恢复电荷vs.正向电流250500200))Csndi/dt=100A/µs(n(rrrr400di/dt=200A/µsT150O间-时荷复电di/dt=100A/µs恢100di/dt=200A/µs复向恢300反向反500200010203040506010203040506070正向电流–IF(A)正向电流–IF(A)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第7页

7士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书典型特性曲线（续）图19.峰值反向恢复电流vs.正向电流图20.Tb斜率vs.正向电流10250)dirr/dt=200A/µs(A8rm)200Irm=200A/µssI-/µA流6t(d电r/复ir150d恢率4向Irm=100A/µs斜dirr/dt=100A/µs反bT值100峰2050020406080020406080正向电流–IF(A)正向电流–IF(A)图21.最大安全工作区域图22.IGBT瞬态热阻抗vs.脉冲宽度30101070%50%30%21010µs)(A100µs）-110%IC化1011ms–1010ms准5%DC标流（-电2%0抗极10电阻10-21%热集0.5%-1100.2%SinglePulse-210-310100101102103-6-5-4-3-2-1010101010101010集电极-发射极电压–VCE(V)脉冲宽度(Sec)图23.二极管瞬态热阻抗vs.脉冲宽度01070%50%30%）-110%化10准5%标-（2%抗阻-21%10热0.5%0.2%SinglePulse-310-6-5-4-3-2-1010101010101010脉冲宽度(Sec)杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第8页

8士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书封装外形图TO-247-3L单位：毫米EAMILLIMETERQA2SYMBOLMINNOMMAXφPA4.805.005.202EA12.212.412.59A21.852.002.15Db1.11_1.36_b21.912.25_b42.913.25_c0.510.751LD20.8021.0021.30E15.5015.8016.10E24.405.005.20Le5.44BSCL19.7219.9220.22__L14.30Cb2bA1Q5.605.806.00b4eP3.40—3.80重要注意事项：1.士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知。2.客户在下单前应获取我司最新版本资料，并验证相关信息是否最新和完整。产品应用前请仔细阅读说明书，包括其中的电路操作注意事项。3.我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。4.在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值，否则会影响整机的可靠性。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。5.购买产品时请认清我司商标，如有疑问请与本公司联系。6.产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！7.我司网站http://www.silan.com.cn杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第9页

9士兰微电子SGTP75V65SDB1P7说明书产品名称：SGTP75V65SDB1P7文档类型：说明书版权：杭州士兰微电子股份有限公司公司主页：http://www.silan.com.cn版本：1.1修改记录：1.增加TC=150C时的IGBT电性参数2.增加TC=150C时的FRD电性参数版本：1.0修改记录：1.正式版本发布杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.1http://www.silan.com.cn共10页第10页