绝缘栅双极晶体管（igbt）缓冲电路

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1、2013年所学术交流会中英文题目、作者、单位、摘要、关键词绝缘栅双极晶体管(IGBT)缓冲电路张三，李四(北京无线电测量研究所，北京100039)摘要：绝缘栅双极晶体管(IGBT)作为第三代电力电子器件的佼佼者。。。关键词：绝缘栅双极晶体管(IGBT)；缓冲电路InsulatedGateBipolarTransistorBufferCircuitLUYong-liang,FANWen-jun(BeijingInstituteofRadioMeasurement,Beijing100039,China

2、)Abstract:Asthethirdgenerationleaderinpowerelectronicdevices…Keywords:insulatedgatebipolartransistor;buffercircuit2013年所学术交流会作者简介：姓名(出生年-)，性别，学历，职称，主要研究方向为……。第一作者简介需要填写清楚2013年所学术交流会0引言正文结构分为引言、各章节及结束语（结论、仿真结果）等。公式、图形、表格需要编序。绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，工作安全。

3、。。。。1缓冲电路概述2缓冲电路的选择和参数计算2.1缓冲电路的类型2013年所学术交流会2.2缓冲电路参数计算2.2.1缓冲电容Cs的计算4结束语引用处需要标注参考文献，对作者和他人的知识产权进行保护缓冲电路的设计需要在理论计算和分析的基础上，掌握缓冲电路参数的变化趋势，通过现场调试和波形测试而最终确定缓冲电路的参数。。。参考文献：[1]张皓,续明进,杨梅.高压大功率交流变频调速技术[M].北京：机械工业出版社,2006.[2]李序葆,赵永健.电力电子器件及应用[M].北京：机械工业出版社,200

4、1.