绝缘栅双极晶体管.ppt

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1、第2章常用电力电子器件介绍及选择2.4绝缘栅双极晶体管（IGBT）重点：1.IGBT的特性2.IGBT的驱动电路第2章常用电力电子器件介绍及选择2.4绝缘栅双极晶体管（IGBT）集MOSFET和GTR的优点于一身，兼具功率MOSFET管高速开关特性和GTR管的低导通压降特性两者优点的一种复合器件,是当今发展最快而且很有前途的一种混合型器件。第2章常用电力电子器件介绍及选择2.4绝缘栅双极晶体管（IGBT）2.4绝缘栅双极晶体管（IGBT）目前IGBT产品已系列化，最大电流容量达1800A，最高电压等级达45

2、00V，工作频率达50kHZ。在电机控制、中频电源、各种开关电源以及其它高速低损耗的中小功率领域，IGBT取代了GTR和一部分MOSFET的市场。第2章常用电力电子器件介绍及选择2.4绝缘栅双极晶体管（IGBT）一.IGBT的特性IGBT有三个电极:集电极（漏极）Ｃ、发射极（源极）Ｅ和栅极Ｇ;电气符号如图2.4.1所示。简化等效电路如图2.4.2图2.4.1图2.4.2IGBT是全控型器件，属场控器件，其驱动原理与功率MOSFET管基本相同，是一种由栅极电压UGE控制集电极电流的栅控自关断器件。第2章常用电

3、力电子器件介绍及选择2.3绝缘栅双极晶体管（IGBT）二.IGBT的驱动电路IGBT的输入特性和MOSFET管的特性相同，因而MOSFET管的驱动电路也适应于IGBT管的驱动电路。由于功率IGBT在电力电子设备中多用于高压场合，所以驱动电路必须与整个控制电路完全隔离，电路中隔离方式也分光隔离和磁隔离。（1）IGBT分立元件的驱动电路分立元件即单个元件。第2章常用电力电子器件介绍及选择2.3绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT集成模块的驱动电路----EXB840/841系列集成驱动模块EXB840为混

4、合集成电路，能驱动高达150A、600V的IGBT和高达75A、1200V的IGBT管。由于驱动电路的信号延迟时间小于1.5μs，所以此混合集成电路适用于大约40kHz的开关操作。它仅需20V电源供电，内置光耦合器，高绝缘耐压，内置过电流保护电路，附带过电流检测输出端子。右图为外形图。图2.4.3外形图第2章常用电力电子器件介绍及选择2.3绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT集成模块的驱动电路--EXB840/841系列集成驱动模块EXB840芯片各引脚功能如表：端子编号功能①连接用于反向偏置电源的滤

5、波电容②驱动模块工作电源（+20V）③输出驱动信号④用于连接外部电容，以防止过流保护电路误动作（绝大部分场合不需要电容。）⑤过流保护输出端⑥集电极电压监视端⑦⑧不接，空脚⑨电源地（ov）⑩⑾不接，空脚⒁驱动信号输入（-）⒂驱动信号输入（+）第2章常用电力电子器件介绍及选择2.3绝缘栅双极晶体管（IGBT）（2）IGBT集成模块的驱动电路--EXB840/841系列集成驱动模块图2.4.4EXB840内部结构图图2.4.5用EXB840驱动IGBT的电路图