四探针法原理

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1、M-6手持式四探针使用说明注意：敬请用户在操作使用四探针测试仪之前，必须详细阅读使用手册！并妥善保存。使用手册目录一、概述........................................................................................................................1二、技术参数............................................................................................

2、....................1三、工作原理................................................................................................................2四、使用方法................................................................................................................4附录1..................

3、...........................................................................................................5附录2.............................................................................................................................7仪器配套清单.....................................

4、...........................................................................9一、概述M-6型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国A.S.T.M标准。仪器成套组成：由M-6主机、选配的四探针探头等二部分组成。仪器所有参数设定、功能转换全部采用轻触按键输入；自动转换量程，测试结果液晶屏直接显示。本测试仪采用可充电电池供电，适合手持式变动场合操作使用！探头选配：根据不同材料特性需要，探头可有多款选

5、配。有高耐磨碳化钨探针探头，以测试硅类半导体、金属、导电塑料类等硬质材料的电阻率/方阻；也有球形镀金铜合金探针探头，可测柔性材料导电薄膜、金属涂层或薄膜、陶瓷或玻璃等基底上导电膜（ITO膜）或纳米涂层等半导体材料的电阻率/方阻。仪器具有测量精度高、灵敏度高、稳定性好、智能化程度高、结构紧凑、使用简便等特点。仪器适用于半导体材料厂、器件厂、科研单位、高等院校对导体、半导体材料导电性能的测量。二、技术参数1.测量范围、分辨率电阻：0.001Ω～500kΩ，分辨率0.001Ω～10Ω电阻率：0.001Ω～500kΩ-cm，分辨率0.001Ω～10Ω-cm方块电

6、阻：0.005Ω～1MΩ/□，分辨率0.001Ω～10Ω/□2.量程划分及误差等级量程（Ω-cm/□）2.00020.00200.02.000K~500K电阻测试范围0.001～2.0002.00～20.0020.0～200.02.000K～500k电阻率/方阻0.001/0.005～2.0002.00～20.0020.0～200.02.000K～500K/1M基本误差±0.5%±2LSB1三、工作原理注：电阻率与方阻概念电阻率：当某种材料截成正方体时，平行对面间的电阻值只与材料有关，而与正方形边长无关，这种单位体积的阻值可反应材料的导电特性，称为电阻率

7、（体电阻率），记为：ρ，常用单位Ω-cm。方块电阻：薄膜类导体、半导体材料截成薄层正方形时，平行对边间的电阻值只与材料电阻率和厚度有关，而与正方形边长无关，这种单位面积的对边间的阻值可反应薄膜的导电特性和厚度信息，称为方块电阻，简称方阻，记为R口，标准单位Ω/口。测试原理：直流四探针法测试原理简介如下：(1)体电阻率测量：图1四探针法测量原理图当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时，并以一定压力压在半导体材料上时，在1、4两根探针间通过电流I，则2、3探针间产生电位差V。材料电阻率Vρ=C（Ω-cm）（3-1）I式中C为探针修正系数，由探针的间距决定。

8、当试样电阻率分布均匀，试样尺寸满足半无穷大条件时2πC=1111（cm）（3-2