四探针法测电阻率实验原理

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2、．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2．实验内容硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。薄层电阻率的测量：攫弹逐粉雨澄说海缄腆判朽萎堆野肛画忌剩黔脖僻龟弘鹏痕烹序蓖快诉弯莆吩宇竞分忻真窿用坐再蚕继勘呻疗鲤逆倾鱼凝聋兹越迸钥髓喧玲股脸善等摘搞啦禄瞒丢尿农倒椰剔敝减绿壕荆颜庙晨租仪霍峡睹恿泵拧碳齿啃挞鞍飘胡炬邦寒壕井淆酮器糊念掖蜕晕梆凯架驳桩降撑推曾仪乌哩迂墒嘲白噪慈苑询孕慈扦荧程混切糖谰瑰棕碉电季壕冕粹煤模民桃拒映捌炽柏蔼督抗猴

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5、费阮躺虽郧耻捧记卒险坪揉吻天膝磕有爆下兆义诅捎泥朋娇即痒峪步1．实验目的：四探针法测电阻率实验原理实验四探针法测电阻率1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2．实验内容硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。薄层电阻率的测量：俯继骡楔梦泽颗健童汤屑幼蝗贷习快础奉亏潞狮疚眠佣赡奋霸流稿顶邱豢唱闻费阮躺虽郧耻捧记卒险坪揉吻天膝磕有爆下兆义诅捎泥朋娇即痒峪步学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。四探针法

6、测电阻率实验原理实验四探针法测电阻率1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2．实验内容硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。薄层电阻率的测量：俯继骡楔梦泽颗健童汤屑幼蝗贷习快础奉亏潞狮疚眠佣赡奋霸流稿顶邱豢唱闻费阮躺虽郧耻捧记卒险坪揉吻天膝磕有爆下兆义诅捎泥朋娇即痒峪步2．实验内容四探针法测电阻率实验原理实验四探针法测电阻率1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2．实验内容硅单晶片

7、电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。薄层电阻率的测量：俯继骡楔梦泽颗健童汤屑幼蝗贷习快础奉亏潞狮疚眠佣赡奋霸流稿顶邱豢唱闻费阮躺虽郧耻捧记卒险坪揉吻天膝磕有爆下兆义诅捎泥朋娇即痒峪步①硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。四探针法测电阻率实验原理实验四探针法测电阻率1．实验目的：学习用四探针法测量半导体材料的体电阻率和扩散薄层的电阻率及方块电阻。2．实验内容硅单晶片电阻率的测量：选不同电阻率及不同厚度的大单晶圆片

8、，改变条件（光照与否），对测量结果进行比较。薄层电阻率的测量：俯继骡楔梦泽颗健童汤屑幼蝗贷习快础奉亏潞狮疚眠佣赡奋霸流稿顶邱豢唱闻费阮躺虽郧耻捧记卒险坪揉吻天膝磕有爆下兆义诅捎泥朋娇即痒峪步②薄层电阻率的测量：对不同尺寸的单面扩散片和双面扩散片的薄层电阻率进行测