各种不良硅片的表现形式及改善方法

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1、各种不良硅片的表现形式及改善方法2011-05-1816:06:47来源：光伏太阳能网一、线痕　　分类：线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下：   　1、杂质线痕：由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。　　表现形式：　　（1）线痕上有可见黑点，即杂质点。　　（2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。　　（3）以上两种特征都有。　　（4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。　　改善方法：　　（1）改善原材料或铸

2、锭工艺，改善IPQC检测手段。　　（2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。　　其它相关：硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现"切不动"现象。如未及时发现处理，可导致断线而产生更大的损失。 　　2、划伤线痕：由砂浆中的SIC大颗粒或砂浆结块引起。切割过程中，SIC颗粒"卡"在钢线与硅片之间，无法溢出，造成线痕。　　表现形式：包括整条线痕和半截线痕，内凹，线痕发亮，较其它线痕更加窄细。　　改善方法：　　（1）针对大颗粒SIC（2.5~3D50），加强IQC检测；使用部门对同一批次SIC先进行试用，然后再进行正常使用。

3、　　（2）导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够；SIC水分含量超标，砂浆配制前没有进行烘烤；PEG水分含量超标（重量百分比<0.5%）；SIC成分中游离C（<0.03%）以及<2μm微粉超标。　　其它相关：SIC的特性包括SIC含量、粒度、粒形、硬度、韧性等，各项性能对于切片都有很大的影响。 　　3、密布线痕（密集型线痕）：由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密集线痕区域。　　表现形式：　　（1）硅片整面密集线痕。　　（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。　　（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。　　（4）部分不规则区

4、域密集线痕。　　（5）硅块头部区域密布线痕。 　　改善方法：　　（1）硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严　　重不足引起，包括SIC颗粒度太小、砂浆搅拌时间不够、砂浆更换量不够等，可针对性解决。　　（2）硅片出线口端半片面积密集线痕。原因为砂浆切割能力不够，回收砂浆易出现此类情况，通过改善回收工艺解决。　　（3）硅片部分区域贯穿硅片密集线痕。原因为切片机台内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。在清洗时用美工刀将喷嘴内赃物划向两边。　　（4）部分不规则区域密集线痕。原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分区域硬度过高。改善铸锭工艺解决此问题。　　（5）

5、硅块头部区域密布线痕。切片机内引流杆问题。 　　4、错位线痕：由于切片机液压夹紧装置表面有砂浆等异物或者托板上有残余胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动，而产生的线痕。　　改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。 　　5、边缘线痕：由于硅块倒角处余胶未清理干净而导致的线痕。　　表现形式：一般出现在靠近粘胶面一侧的倒角处，贯穿整片硅片。　　改善方法：规范粘胶操作，加强检查和监督。 　　二、TTV（TotalThicknessVariety）　　TTV不良，都是由于各种问题导致线网抖动而产生的硅片不良，包括设备精

6、度问题、工作台问题、导轮问题、导向条粘胶问题等。　　1、设备精度：　　导轮径向跳动<40μm，轴向跳动<20μm。　　改善方法：校准设备。　　2、工作台问题：　　工作台的不稳定性会导致大量TTV不良的产生。　　改善方法：维修工作台。　　3、导轮问题：　　因导轮问题而产生的TTV不良，一般出现在新导轮和导轮磨损很大的时候。　　改善方法：更换导轮。　　4、导向条粘胶问题：　　当导向条下的胶水涂抹不均匀，出现部分空隙，在空隙位置的硅片，易出现TTV不良问题。　　改善方法：规范粘胶操作。 　　三、台阶　　台阶的出现，是由切片过程中的钢线跳线引起，而导致

7、钢线跳线的原因，包括设备、工艺、物料等各方面的问题，部分如下：　　1、砂浆问题：　　砂浆内含杂质过多，没有经过充分过滤，造成钢线跳线。　　改善方法：规范砂浆配制、更换，延长切片的热机时间和次数。　　2、硅块杂质问题：　　硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶。　　改善方法：改善原材料或铸锭工艺，改善IPQC检测手段。　　3、单晶停机、切起工艺问题：　　单晶相对多晶硬度较大，在异常停机并重新切起的过程中，采用违规操作产生的钢线跳线。　　改善方法：严格遵循工艺操作。　　4、线、砂工艺匹配问题：　   　钢线、砂浆型号不匹配造成切片跳线，此种情况很少出

8、现。