2010工程电磁场b卷

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1、华侨大学2009~2010学年第二学期《工程电磁场》课程考试试题(B)考试形式:闭卷(120分钟)考试日期:2010.6.22院系:班级:姓名:学号:注:所有解答写在答题纸上一、填空题(20分)1、将一理想导体置于静电场中,导体内部的电场强度为,导体内部各点电位,在导体表面,电场强度方向与导体表面法向方向是关系。2、在静电场中,麦克斯韦方程组的微分形式可表示为和。恒定磁场中,麦克斯韦方程组的微分形式可表示和。3、在静电场中,电场强度E和标量电位φ之间的相互关系为。电场强度沿任意一闭合曲线积分等于。因此静电场是场。4、磁化强度为

2、的磁化体中,磁化(束缚)电流体密度=磁化(束缚)电流面密度=。5、一个由同心球壳构成的电容器,介电常数为,内外球半径为a和b,其电容为,当外加电容器电压为U时,其储存的能量为。6、两个载流线圈的自感分别为和,互感为,分别通有电流和,则该系统的自有能为             ,互有能为             。7、在麦克斯韦微分方程组中,方程表明不仅传导电流能激发磁场,位移电流也能激发磁场。而方程表明不仅电荷能产生电场,变化的磁场也产生电场。8、导电媒质中,自由电荷体密度随时间衰减的过程称为。涡流将使导电媒质中的场量趋于表面

3、分布,且沿其纵深方向衰减,这一现象称为。二、计算题(80分)1、空气中平行地放置两根长直导线,半径都是2cm,轴线间距离为12cm,若导线间加电压1000V,求(1)电场中的电位分布(2)导线表面电荷密度的最大值及最小值。(15分)2、求图2所示深度为d平行板电容器的电容。(平行板电容器面积)(10分)图1图23、一内、外导体半径分别为和,长度为的单芯同轴电缆,中间介质的电导率为,介电常数为,如图3所示。导体间外施电压,求电缆(1)泄漏电流密度和电场强度;(2)绝缘电阻R;(3)电缆的功率损耗。(15分)1、对于图4所示厚度为

4、D(垂直于纸面方向)的磁路,已知气隙δ处磁感应强度为B求:(1)线圈的自感;(2)可动部件所受的力。(10分)图3图4图52、真空中,两根平行长直载流导线,截面半径均为R,轴线间距离为D,导线中电流为I,电流方向相反,如图5所示。试求两线传输线的自感。(8分)3、在图6所示两无限大理想导体平板间的无源自由空间中,动态电磁场的磁场强度为,式中为常数。试求:(1)板间时变的电场强度;(2)两导体表面上时变的面电流密度和电荷面密度。(12分)图6图74、已知自由空间中的电磁波的两个场分量表达式为,式中,求(1)瞬时坡印廷矢量;(2)

5、平均坡印廷矢量;(3)流入图7示的平行六面体(长为1m,横截面积为0.25)中的净瞬时功率。(10分)华侨大学2009~2010学年第二学期《工程电磁场》课程考试答案(B)一、填空题(20分)1、零,常量,平行2、,,,3、,零,保守场(无旋场)。4、,5、,6、,7、,8、电荷驰豫过程,集肤效应二、计算题(80分)1、解:坐标系如图所示令2分(1)任意一点p点的电位2分3分(2)导线表面面密度最大值出现在图中的A点或者B点,最小值在C点。1分代入数值得:3分代入数值得3分2、解:设介质和中的场强为和。根据分界面上衔接条件=,

6、所以(2分)根据分界面上衔接条件(2分)(2分)(2分)(2分)3、解:(1)(2分)(3分)所以(4分)(2)(3分)(3)或者(3分)4、(2分)(4分)(4分)5、解:建立坐标系如下图所示(1分)2分2分所以1分1分1分6、解:(1)2分2分(2)Z=0的导体板2分2分Z=d的导体板上2分2分7、解:(1)由得(2分)(2)(2分)(2分)(3)其中和分别z=0和z=1m的截面所以(4分)

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