模拟电子技术综合复习题.docx

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1、《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）选择题《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）1、在本征半导体中掺入微量的A.二B.三C.四2、在N型半导体中掺入浓度更大的A.二B.三C.四3、在本征半导体中，自由电子浓度A.大于B.等于C.4、在P型半导体中，自由电子浓度A.大于B.等于C.5、本征半导体温度升高以后，A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变D价元素，形成N

2、型半导体。D.五C价元素，变成为P型半导体。D.五B空穴浓度。小于_C—空穴浓度。小于C。《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）、空间电荷区是由C构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子结加正向电压时,变窄B.空间电荷区将基本不变u，则二极管的电流方程是IPNA.8、设二极管的端电压为A.IseUB.9、稳压管的稳压区是其工作在A.正向导通B.反向截止10、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为A.B.C.D.C.A变宽D.无法确定C.D.CCC

3、.反向击穿前者反偏、后者也反偏前者正偏、后者反偏前者正偏、后者也正偏前者反偏、后者正偏《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）12、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12卩A增大到22卩A时，IC从1mA变为2mA，那么它的B约为c。A.83B.91C.100D.1013、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将A。A.增大B.不变C.减小D.都有可能14、晶体管是A器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流15、实践中，判别晶体管是否饱和，

4、最简单的方法是测量D。增大都有可能C.11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将A.增大B.不变A减小D16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）图1为D;图2为A。［基极电位总是处于中间②0V①6V_cf③图1硅管硅管锗管锗管17、增强型PMOS管工作在放大状态时，其栅源电压栅源电压D。A.只能为正B.只能为负C.可正可负B，耗尽型PMOS管工作在放大状态时，其D.可正可负

5、，也可为零18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的CA.可变电阻（欧姆）区B.截止区c.饱和区D.击穿区19、表征场效应管放大能力的重要参数是B。A.夹断电压UGS(off)B.低频跨导gmc.饱和漏极电流IDSSD.开启电压UGS(th)20、场效应管是D器件。A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流21、基本共射放大电路中，基极电阻Rb的作用是A。A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输

6、出电压被短路22、基本共射放大电路中，集电极电阻Rc的作用是BA.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源Ec23、基本共射放大电路中，如果使用直流电压表测出短路开路短路D.B过小24、基本共射放大电路中，输入正弦信号，现用示波器观察输出电压波形，二者相位A。A.相同B.相反C.相差90°D.Uce〜0,可能是因为A相差270Uo和晶体管集电极电压25、NPN管基本共射放大电路输出电压出现了非线性失真,通过减小Rb失真消除，这种失真一定是

7、B失真A.饱和B.截止C.双向D.相位26、分压式偏置工作点稳定电路，当B=50时,Ib=20”A,Ic=1mA。若只更换B=100的晶体管,而其他参数不变，则IB和IC分别是AA.10A,1mAB.20戈A,2mAC.30戈A,3mAD.4018、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C负载开路的情况下，测得甲的输出电压小，这说明甲的B。C.输出电阻大D.输岀电阻小A.输入电阻大B.输入电阻小28、放大电路产生零点漂移的主要原因是A。A.环境温度变化引

8、起参数变化B.放大倍数太大C.采用了直接耦合方式D.外界存在干扰源29、要求组成的多级放大电路体积最小，应选B耦合方式。A.阻容B.直接C.变压器D.阻容或变压器30、放大电路的三种组态（C)。A.都有电压放大作用B.都有电流放大作用27、有两个空载放大倍数相同,输入和输出电阻不同的放大器甲和乙,对同一信号源进行放大，在C.都有功率放大作用D.都不是18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C18、在放大电路中，场效应管工作在漏极特性的C30dB和40dB，则放大器