模拟电子技术综合复习题.doc

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1、《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管2V6VD.PNP型锗管1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[D]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[C]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[B]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管

2、的主要特性是[C]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[B]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[B]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM8、温度升高时，三极管的β值将[A]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[A]A.电子B.空穴C.离子D.杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大11、在

3、P型半导体中，多数载流子是[B]A.电子B.空穴C.离子D.杂质四、在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知：1、电极①是C极，电极②是B极，电极③是E极。2、此晶体管的电流放大系数约为40。3、此晶体管的类型是PNP型（PNP或NPN）。l1l2l3T①②③五、测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；（a）NPN4mA-C4.1mA-E0.1mA-B(b)PNP6mA-C6.1mA-E0.1mA-B2估算(b)图晶体管的和值。

4、(a)=40=40/41(b)=60=60/61六、判断各下图中二极管导通状态，并标出的值。各二极管导通电压0.7V。左图：D1D3D2导通D4截止=2.1V右图：D2导通D1截止=-6V七、电路如下图所示，若UI=10V，R=100W，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。解：满足两个条件：1、稳压的条件：RL〉150W2、电流条件满足：RL〉171W且RL<600W综合：RL〉171W且RL<600W八、稳压管稳压电路如下图所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R

5、=500。试求：（1）当（2）当解：（1）稳压管稳压，（2）稳压管不稳压，工作在反向截止状态，第二章基本放大电路一、选择题1、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[C]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]A.增大B.减少C.不变D.不能确定3、在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[B]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定4、在电路中我们可以利用[C]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路5、在基

6、本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[C]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定6、在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了底部削平的失真，这种失真是[A]A.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真7、以下电路中，可用作电压跟随器的是[D]A．差分放大电路B．共基电路C．共射电路D．共集电路8、晶体三极管的关系式iC=f(uBE)

7、uCE代表三极管的[B]A.共射极输入特性B.共射极输出特性C.共基极输入特性D.共基极输出特性9、在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入信号为1kH

8、z,5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是[B]B.饱和失真B.截止失真C.交越失真D.频率失真10、对于基本共射放大电路，Rb减小时，输入电阻Ri将[B]A.增大B.减少C.不变D.不能确定11、在基本共射放大电路中，信号源内阻RS减小时，输入电阻Ri将[C]A.增大B.减少C.不变D.不能确定12、在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是[C]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定13、在三种基本放大电路中，电