模拟电子技术 综合复习题

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1、中国石油大学（华东）现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件一、选择1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是[A]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管2V6VD.PNP型锗管1.3V2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[D]A.饱和B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[C]A.I=2mAB.I<2mAC.I>2mAD.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流

2、子的浓度主要取决于[B]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[C]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[B]A.增大B.减少C.不变D.不能确定7、下列选项中，不属三极管的参数是[B]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM8、温度升高时，三极管的β值将[A]A.增大B.减少C.不变D.不能确定9、在N型半导体中，多数载流子是[A]中国石油大学（华东）现代远程教育A.电子B.空穴C.离子D

3、.杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[A]A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[B]A.电子B.空穴C.离子D.杂质二、填空1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子的浓度则与本征激发有很大关系。2、温度升高时，晶体管的电流放大系数β增大，反向饱和电流ICBO增大，正向结电压UBE变小。(a.变大，d.变小，c.不变)3、在本征半导体中，电子浓度等于空穴浓度；4、在P型半导体中，电子浓度小于空穴浓度；5、在N

4、型半导体中，电子浓度大于空穴浓度。4、二极管的最主要特性是单向导电性。5、双极型晶体管从结构上看可以分成NPN和PNP两种类型，它们工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电。6、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。三、判断对错1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（ⅹ）2、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ⅹ）3、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（ⅹ）4、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（ⅹ）四、在某放大电路中，

5、晶体管三个电极的电流下图所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知：1、电极①是C极，电极②是B极，电极③是E极。2、此晶体管的电流放大系数约为40。3、此晶体管的类型是PNP型（PNP或NPN）。l1l2l3T①②③中国石油大学（华东）现代远程教育五、测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示1判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；（a）NPN4mA-C4.1mA-E0.1mA-B(b)PNP6mA-C6.1mA-E0.1mA-B2估算(b)图晶体管的和值。(a)

6、=40=40/41(b)=60=60/61六、判断各下图中二极管导通状态，并标出的值。各二极管导通电压0.7V。左图：D1D3D2导通D4截止=2.1V右图：D2导通D1截止=-6V七、电路如下图所示，若UI=10V，R=100W，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。中国石油大学（华东）现代远程教育解：满足两个条件：1、稳压的条件：RL〉150W2、电流条件满足：RL〉171W且RL<600W综合：RL〉171W且RL<600W八、稳压管稳压电路如下图所

7、示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范围为10mA~50mA，限流电阻R=500。试求：（1）当（2）当解：（1）稳压管稳压，（2）稳压管不稳压，工作在反向截止状态，第二章基本放大电路一、选择题1、在基本放大电路的三种组态中，输入电阻最大的放大电路是[C]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定2、在基本共射放大电路中，负载电阻RL减小时，输出电阻RO将[C]A.增大B.减少C.不变D.不能确定3、在三种基本放大电路中，输入电阻最小的放大电路是[B]A.共射放大电路B.共基放大电路C.共集放大电路D.不能确定4、在电

8、路中我们可以利用[C]实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。A共射电路B共基电路C共集电路D共射-共基电路5、在基本放大电路的三种组态中，输出电阻最小的是[C]A.共射放大电路B.共基放大电路中国石油大