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时间:2021-03-20
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1、第八讲存储器(二)动态RAM本讲主要内容动态RAM的电路结构DRAM的读写过程DRAM的刷新典型DRAM芯片举例SRAM与DRAM的比较DD预充电信号读选择线写数据线写选择线读数据线VCgT4T3T2T11(1)动态RAM基本单元电路2.动态RAM(DRAM)读出与原存信息相反读出时数据线有电流为“1”数据线CsT字线DDV010110写入与输入信息相同写入时CS充电为“1”放电为“0”4.2T3T2T1T无电流有电流•集成度高,功耗低•具有易失性,必须刷新。•破坏性读出,必须读后重写•读后重写,刷新均经由刷新放大器进行。•刷新时只提供
2、行地址,由各列所拥有的刷新放大器,选中行全部存储细胞实施同时集体读后重写(再生)。DRAM的电气特征:单元电路读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D行地址译码器001131311A9A8A7A6A531A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…(2)动态RAM芯片举例①三管动态RAM芯片(Intel1103)读00000000000D…004.2单元电路读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数
3、据线读数据线……………0…②三管动态RAM芯片(Intel1103)写4.2111114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0…11111…4.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9
4、A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……01000111114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……11111101000114.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选
5、择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器
6、00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…A9A8A7A6A5读写控制电路列地址译码器………读选择线写选择线D单元电路行地址译码器00113131131A4A3A2A1A0刷新放大器写数据线读数据线……………0……D111110100014.2②三管动态RAM芯片(Intel1103)写读写控制电路…时序与控制行时钟列时钟写时钟WERASCASA'6A'0存储单元阵列基准单元行译码列译码器再生放大器列译码器读
7、出放大基准单元存储单元阵列行译码I/O缓存器数据输出驱动数据输入寄存器DINDOUT~行地址缓存器列地址缓存器③单管动态RAM4116(16K×1位)外特性4.2DINDOUTA'6A'0~读放大器读放大器读放大器………………………06364127128根行线Cs01271128列选择读/写线数据输入I/O缓冲输出驱动DOUTDINCs④4116(16K×1位)芯片读原理读放大器读放大器读放大器……4.263000I/O缓冲输出驱动OUTD读放大器读放大器读放大器………………………06364127128根行线Cs01271128列选择读
8、/写线数据输入I/O缓冲输出驱动DOUTDINCs…⑤4116(16K×1位)芯片写原理数据输入I/O缓冲I/O缓冲DIN读出放大器读放大器4.2630内部结构——Intel2164(64K×1)⑥.DRA
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