存储器类型归类总结(RAM,SRAM,DRAM.....)

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时间:2019-06-12

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1、单片机存储器类型详解分为两大类RAM和ROM,每一类下面又有很多子类:RAM:SRAMSSRAMDRAMSDRAMROM:MASKROMOTPROMPROMEPROMEEPROMFLASHMemoryRAM:RandomAccessMemory随机访问存储器存储单元的内容可按需随意取出或存入,这种存储器在断电时将丢失其存储内容,故主要用于存储短时间使用的程序。它的特点就是是易挥发性(volatile),即掉电失忆。我们常说的电脑内存就是RAM的。ROM:ReadOnlyMemory只读存储器ROM通常指固化存储器(一次写入,反复读取),它的特点与RAM相反。RAM

2、和ROM的分析对比:1、我们通常可以这样认为,RAM是单片机的数据存储器,这里的数据包括内部数据存储器(用户RAM区,可位寻址区和工作组寄存器)和特殊功能寄存器SFR,或是电脑的内存和缓存,它们掉电后数据就消失了(非易失性存储器除外,比如某些数字电位器就是非易失性的)。ROM是单片机的程序存储器,有些单片机可能还包括数据存储器,这里的数据指的是要保存下来的数据,即单片机掉电后仍然存在的数据,比如采集到的最终信号数据等。而RAM这个数据存储器只是在单片机运行时,起一个暂存数据的作用,比如对采集的数据做一些处理运算,这样就产生中间量,然后通过RAM暂时存取中间量,最终

3、的结果要放到ROM的数据存储器中。如下图所示:2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据,不能快速的随时修改或重新写入数据。它的优点是电路结构简单,而且在断电以后数据不会丢失。缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。SRAM:StaticRAM静态随机访问存储器它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。不像DRAM内存那样需要刷新电路,每隔一段时间,固定要对DRAM刷新充电一次,否则内部的数据即会消失,因此SRAM具有较高的性能,但是SRAM也有

4、它的缺点,即它的集成度较低,相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积,但是SRAM却需要很大的体积,所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。优点:速度快,不必配合内存刷新电路,可提高整体的工作效率。缺点:集成度低,功耗较大,相同的容量体积较大,而且价格较高,少量用于关键性系统以提高效率。DRAM:DynamicRAM动态随机访问存储器DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次,如果存储单元没有被刷新,存储的信息就会丢失。既然内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序,那么它是怎

5、么工作的呢?我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM),动态内存中所谓的“动态”,指的是当我们将数据写入DRAM后,经过一段时间,数据会丢失,因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。具体的工作过程是这样的:一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷,有电荷代表1,无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电,代表0的电容会吸收电荷,这就是数据丢失的原因;刷新操作定期对电容进行检查,若电量大于满电量的1/2,则认为其代表1,并把电容充满电;若电量小于1/2,则认为其代表0,并把电容放电,借此来保持数据的连续性。DRAM存储单元的结构非常

6、简单,所以它所那个达到的集成度远高于静态存储器。但是DRAM的存取速度不如SRAM快。SSRAM:SynchronousStaticRAM同步静态随机访问存储器同步是指Memory工作需要时钟,内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准,随机是指数据不是线性依次存储,而是由指定地址进行数据读写。对于SSRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。这一点与异步SRAM不同,异步SRAM的访问独立于时钟,数据输入和输出都由地址的变化控制。SDRAM:SynchronousDynamicRAM同步动态随机访问存储器由以上的对S

7、SRAM的分析可以了解SDRAMMASKROM:掩模只读存储器是制造商为了要大量生产,事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本,然后再大量生产与样本一样的ROM,这一种做为大量生产的ROM样本就是MASKROM,而烧录在MASKROM中的资料永远无法做修改。OTPROM:one-timeprogrammableROM一次性可编程只读存储器PROM:ProgrammableROM可编程只读存储器内容一经写入以后,就不可能修改了,所以只可以写入一次EPROM:ErasableProgrammableROM可擦除可编程只读存储器用紫外线照射进行擦除,高压编程写

8、入(+21

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