低频电子线路讲解学习.ppt

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1、低频电子线路本节课内容双极型晶体管的伏安特性曲线三极管主要参数晶体管命名法10/8/20212《低频电子线路》1.3.3双极型晶体管的伏安特性曲线BJT的伏安特性曲线是指其各极电压与电流的关系。不同的放大器特性曲线内容意义不同。10/8/20213《低频电子线路》网络端口特性将晶体管视为二端口网络，则特性曲线应有两组，即输入端和输出端的特性曲线。vBEvCEiBiC+－+－10/8/20214《低频电子线路》①输入特性曲线（图）iBvBE0vCE=01v10/8/20215《低频电子线路》输入特性曲线表达式10/8/20216《低频电子线路》

2、输入特性曲线分析VCE增大时，曲线略有右移，到一定程度则不再变化。这是管子的基调效应。10/8/20217《低频电子线路》②输出特性曲线（图）Ic(mA)vCE(V)0击穿区截止区饱和区工作区10/8/20218《低频电子线路》输出特性曲线表达式10/8/20219《低频电子线路》输出特性曲线分析有四个区饱和区工作区截止区击穿区10/8/202110《低频电子线路》饱和区eb结和cb结均为正偏。管子完全导通，其正向压降很小。相当一个开关“闭合（Turnon）”。10/8/202111《低频电子线路》工作区eb结正偏，cb结反偏。这是管子的正常

3、放大状态。此时具有“恒流特性”。10/8/202112《低频电子线路》截止区eb结和cb结均为反偏。管子不通，相当于一个“开关”打开（Turnoff）。管子的cb结承受大的反向电压。10/8/202113《低频电子线路》击穿区管子被反向电压（太大）击穿。管子的PN结特性破坏。10/8/202114《低频电子线路》注意厄利电压（基调效应）。截止区对应iB=－ICBO曲线以下区域。iC电流增大，ß略有增大。工作区的恒流特性和厄利电压有关。10/8/202115《低频电子线路》1.3.4三极管主要参数管子参数是衡量晶体管质量好坏和选择管子的主要依据

4、。10/8/202116《低频电子线路》1.电流放大参数电流放大参数用以衡量管子的放大性能。10/8/202117《低频电子线路》①共基直流电流放大参数10/8/202118《低频电子线路》共基交流电流放大参数10/8/202119《低频电子线路》②共射直流电流放大参数10/8/202120《低频电子线路》共射交流电流放大参数10/8/202121《低频电子线路》管子的ß取值放大状态一般取ß=30~60。ß太小的管子放大不足。ß太大的管子工作不稳定。10/8/202122《低频电子线路》2.极间反向电流极间反向电流是指管子各电极之间的反向漏电

5、流参数。10/8/202123《低频电子线路》①C、B间反向饱和漏电流10/8/202124《低频电子线路》②管子C、E间反向饱和漏电流10/8/202125《低频电子线路》管子反向饱和漏电流硅管比锗管小。此值与本征激发有关。取决于温度特性（少子特性）。10/8/202126《低频电子线路》3.极限参数使用时不应超过管子的极限参数值。否则使用时可能损坏。10/8/202127《低频电子线路》①集电极最大允许电流ICM留有一定的余量。ICM指β下降到额定值的2/3时的IC值。10/8/202128《低频电子线路》②集电极最大允许功耗PCM＝击穿

6、区的功率损耗线（见下图）10/8/202129《低频电子线路》集电极最大允许功耗PCM（图）vCE0击穿区iB10/8/202130《低频电子线路》③反向击穿电压10/8/202131《低频电子线路》反向击穿电压另有VCEO＞VCER＞VCES10/8/202132《低频电子线路》极限参数以上介绍的三个极限参数PCMICMV（BR）CEO所限定的区域称为晶体管安全工作区。10/8/202133《低频电子线路》§1.8晶体管命名法1、国产半导体分立元件标准（国标）2、国产半导体集成电路标准（国标）10/8/202134《低频电子线路》1、国产半

7、导体分立元件标准（国标）中国国家标准（GB—249—74）规定的中国半导体器件型号命名方法10/8/202135《低频电子线路》中国半导体器件命名法第一部分：用数字表示器件的电极数目第二部分：用汉语拼音字母表示材料和极性第三部分：用汉语拼音字母表示器件的类型第四部分：用数字表示器件序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号10/8/202136《低频电子线路》第一部分用数字表示器件的电极数目符号和意义2二极管3三极管10/8/202137《低频电子线路》第二部分用汉语拼音字母表示材料和极性10/8/202138《低频电子线路》第二部分（二极管）A

8、N型锗材料BP型锗材料CN型硅材料DP型硅材料10/8/202139《低频电子线路》第二部分（三极管）APNP型锗材料BNPN型锗材料CPNP型硅材料DNPN型硅材