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1、低频电子线路要点王艳庆，南昌大学电子信息工程系2010.5第一章晶体二极管半导体本征半导体杂质半导体杂质半导体P型半导体：掺入三价元素，受主杂质N型半导体：掺入五价元素，施主杂质半导体的导电机理漂移：电场作用下的漂移电流扩散：分布浓度引起的扩散电流PN结PN结的伏安特性PN结的击穿特性PN结的电容特性二极管模型理想模型大信号模型小信号模型简化模型二极管电路的分析二极管是导通截止的判断 二极管电路分析稳压二极管――二极管击穿特性的应用伏安特性 击穿 齐纳击穿 雪崩击穿 击穿与截止的判断稳压管电路的分析*二极管，稳压管电路波形分析方法。第二
2、章晶体三极管电流传输方程共基极：IC=αIE+ICBO共发射极：IC=βIB+ICEO共集电极：IE=（1+β）IB+ICEO IC=βIBIE=（1+β）IB发射极到集电极电流的电流传输系数α=Ic/Ie基极到集电极电流的电流放大系数β=Ic/Ib发射极电流为0时的集电极漏电流ICBO基极电流为0时的集电极漏电流ICEO＝（（1+β））ICBO三极管的一般模型指数模型： 直流模型及简化模型三极管的工作状态（模式）及判别三极管的伏安特性曲线输入特性曲线 输出特性曲线 四个工作区 截止，放大，饱和，击穿三极管的小信号等效电路模型混合π型电
3、路模型――小信号电路计算的基础rbe=（1+β）re=（1+β）IEQ/VT gm=α/rerce=
4、VA
5、/ICQ三极管直流电路分析直流工作点，三极管的工作区（模式，状态） 图解法，近似计算法第三章场效应管原理不同分为JFET，MOSFETMOSFET可分成EMOS和DMOS每一类型均可分为N沟道和P沟道NEMOS,NDMOS,PEMOS,PDMOS,NJFET,PJFET的伏安特性与转移特性输出特性曲线 四个工作区 截止，饱和，非饱和，击穿MOS管的一般模型ID=JFET管的一般模型小信号等效模型gm=场效应管直流电路分析直流工作点
6、，场效应管的工作区（模式，状态） 图解法，近似计算法第四章基本放大器偏置电路与静态工作点三极管（场效应管）电路的直流分析。放大器的性能指标输入电阻：Ri输出电阻：Ro增益：A*计算方法从直流电路的分析获得晶体管的工作状态（模式，工作区），计算直流偏置（电压或电流）：IBQ,ICQ,VCEQ。从而可以获得三极管的等效参数。将三极管电路转换为基本线性电路。对于FET则是IDQ,gm。使用电路分析方法计算：Ri,Ro,A。基本放大器的组合状态共基极，共发射极共集电极四种增益电压，电流，互阻，互导源增益，负载短路时的电流增益，负载开路时的电压增
7、益直流/交流等效电路直流等效电路：电容等效于开路 交流等效电路：电容等效于短路，直流电压源等效于短路，直流电流源等效于开路。三种组态放大器性能的比较（表）差分放大器差模信号共模信号差模电路的半电路分析法差分放大器的差模性能：Rid,Rod,Avd,差分放大器的共模性能：Ric,Roc,Acd,共模抑制比KCMR=
8、Avd/Acd
9、差模传输特性镜象恒流源原理：跨导线性环，由VBE1＝VBE2得IO＝IR。 改进的恒流源：减小BETA影响的恒流源，比较式恒流源，微电流恒流源的基本结构。放大器的频率特性单极无零系统、一零一极系统的惭近波特图的
10、画法。 多级单极无零系统、一零一极系统的惭近波特图的画法。密勒定理三极管的BETA的上限角频率，特征频率（截止频率），ALPHA的上限角频率，以及三者的大小关系。电路放大状态判定*根据电路结构判定电路能否放大（根据电源极性，晶体管类型及处于放大状态的条件，信号会否开路或旁路）。*对给定的放大器计算rbe=（1+β）re=（1+β）IEQ/VT，gm=α/re，rce=
11、VA
12、/ICQ。从而获得小信号等效电路。根据小信号等效电路计算输入电阻：Ri输出电阻：Ro增益：A，如果需要则计算增益的其他形式。第五章放大器中的负反馈反馈组成反馈类型的
13、判别负反馈对电路性能的影响深度负反馈时电路的计算负反馈的基本组成基本放大器，反馈网络。反馈系数开环增益反馈深度。四种类型的负反馈类型电压串联电流串联电压并联电流并联各种反馈时反馈系数的组成形式。反馈类型的判别据信号有从输出传递到输入的网络，确定是否存在反馈。根据取出的输出信号的类型，判别是电压反馈还是电流反馈。根据信号比较的类型，电压比较则为串联，电流比较则为并联。根据反馈信号抵消或加强输入信号，确定负反馈还是正反馈。（瞬时电压法）反馈对放大器性能的影响输入电阻输出电阻增益稳定性频率上限增益(深度)电压串联FRiRo/F电压增益1/FF
14、ωH1/kfv电流并联Ri/FFRo电流增益1/FFωH1/kfi电流串联FRiFRo互导增益1/FFωH1/kfr电压并联Ri/FRo/F互阻增益1/FFωH1/kfg深度负反馈时的增益计算判别反馈类型找
