低频电子线路学习重点

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1、第一章小结一、二极管1、特性单向导电特性电容特性击穿特性温度特性2、伏安特性3、分析方法（1）图解法（2）折线近似法理想二极管模型恒压降模型4、关于门限电压UrUD>0,二极管正向导通，但只是大于门限电压，电流才明显增长。硅管Ur≈0.6V，锗管Ur≈0.2V，二、晶体三极管1、工作状态（1）放大状态（2）截止状态（2）饱和状态2、放大状态时电流分配关系同一个电流传输过程，不同的描述方式。三、场效应管1、工作状态（1）恒流状态（2）截止状态（2）可变电阻状态2、场效应管类型（1）N沟道、P沟道(2)结型、增强型、耗尽型3、恒流区

2、的伏安关系（1）增强型（2）耗尽型(3)结型或1-5判断管脚、管型及材料解：已知工作在放大状态：根据发射结正偏，集电结反偏。由发射结确定集电极。电极晶体管①②③VT17V1.8V2.5VVT2-2.9V-3.1V-8.2VVT37V1.8V6.3V∴（1）VT1①是集电极，电位最高，NPN型。②发射极，电位最低，③基极。发射结电压0.7V，硅材料。电极晶体管①②③VT17V1.8V2.5VVT2-2.9V-3.1V-8.2VVT37V1.8V6.3V（2）VT2③集电极，电位最低，PNP型①发射极，电位最高，②基极发射结电压0.

3、2V，锗材料（3）VT3②集电极电位最低，PNP型①发射极，电位最高，③基极发射机电压0.7V,硅材料例1-1填空题在晶体管内部众多的载流子中，仅有发射区的————————到基区，成为基区的——————，它们在基区由于_________引起它们在基区—————，直到集电结边界，由于集电结——————的作用，而被集电区——————。这一传输过程产生了三极管的正向受控电流。结型场效应管得D、S极之间存在导电沟道，导电沟道的宽窄受________极电压控制，从而控制了_______极的电流。当D极一端导电沟道消失，称为_____夹断，

4、这时_____极电流只受_________电压控制，场效应管实现正向受控。例1-2测得某电路中场效应管三个电极的电位如表所示，开启电压或夹断电压也如表中所示，试判断管子的类型和工作状态。管号UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/VUG/VUD/V管型工作状态结型VT1313-10VT2-33-110MOSVT3-450-5VT44-23-1.2VT5-30010解：根据场效应管的转移特性曲线，判断是否截止，根据UDS判断导电沟道，UDS>0,N沟道，UDS<0,P沟道。管号UGS(th)/V或UGS(off)/VUs/V

5、UG/VUD/V管型工作状态结型VT1313-10VT2-33-110MOSVT3-450-5VT44-23-1.2VT5-30010IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)IDVGSOVGS(th)VGS(off)ID/mAVGS/VOIDSS(N沟道JFET)ID/mAVGS/VOIDSSVGS(off)(P沟道JFET)例1-3判断结型场效应管的工作状态1-23IDUGSO-3V①没有夹断，不在截止区。②UGD=3V，已经预夹断，工作在放大区。IDUGSO2V①UBS<0，正常工作。②

6、没有夹断，不在截止区。③UGD=6V，没有预夹断，工作在可变电阻区。