硅片的烧结理论.教学文案.ppt

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时间:2020-11-10

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1、硅片的烧结理论.电极材料的选择和电极图形电极材料的选择能与硅形成牢固的接触;这种接触应是欧姆接触,接触电阻小;有优良的导电性;纯度适当;化学稳定性好;电极图形电极图形的设计原则是使电池的输出最大。设计要兼顾两个方面:使电池的串联电阻尽可能小和电池的光照作用面积尽可能大。电池的串联电阻Rs=rm+rc1+rt+rb+rc2rm:上电极金属栅线的电阻;rc1:金属栅线和前表面间的接触电阻;rt:扩散层薄层的电阻rb:基区的电阻;rc2:下电极与半导体的接触电阻浆料导电浆料主要成分为金属粉粒、树脂、有机溶剂、玻璃/陶瓷材料及其他添加物。因为有粉粒沉降及聚集问题,使用前必须有良好搅拌。此外

2、,浆料必须储存于室内阴凉处,避免高温暴晒以免变质。不同的浆料(铝浆、银浆、银铝浆)成分不同所以印制条件及后续烧结条件也有所差异,其结果对电池效率有很大影响。其中形成良好的欧姆接触和背场(BSF)最为关键。玻璃粉对银/硅界面的影响有机成分对栅线高宽比的影响印刷品质浆料本身的性质对产品有很大的影响:(1)因为材料热膨胀系数的差异,浆料成分的不同也会造成太阳能电池的翘弯问题;(2)烧结后浆料的附着性也是一个问题,要通过拉力测试;(3)背场有铝球形成,原因:①硅片表面织构化过程时造成表面高低差过大;②干燥时间太短;③在烧结时铝颗粒间相互融溶而使颗粒间距缩短;丝印和烧结的过程AR-coati

3、ngRearsidecontactpastewet印背电极:银铝浆ScreenprintingRearsidecontactpastedry烘干背电极HighspeedconveyordryerAluminumpastewet印背场:铝浆ScreenprintingAluminumpastedry烘干背场Highspeedconveyordryer印正电极:银浆Screenprinting烘干正电极Fastfiringfurnacewithintegrateddryer烧结FrontsidecontactssinteredthroughtheAR-coatingARcoatingP

4、+-layerAl-dopedAl-SieutecticFastfiringfurnacewithIntegratedhighspeeddryer铝背场铝浆铝浆除了当电极外,在烧结时p-type的铝掺杂渗入形成使原本掺杂硼的p-typeSi形成一层数微米厚的p+-typeSi作为背场,以降低背表面复合速度来提高电池的开路电压Voc。因为硅片吸收系数差,当厚度变薄时衬底对入射光的吸收减少,此时背场的存在对可以抵达硅片深度较深的长波长光吸收有帮助,所以短路电流密度Jsc的影响就更明显。此外,p和p+的能阶差也可以提升Voc,p+可以形成低电阻的欧姆接触所以填充因子FF也可改善。Al背场

5、的形成机理烧结曲线预热区(100-250℃)蒸发最后一道丝网印刷中存在的有机溶剂;Burnout(500-600℃)区烧掉有机溶剂及树脂;瞬间升降高温(700-850℃)根据减反射膜和浆料的特性;Al背场对电池性能的影响浆料对硅片弯曲的影响浆料中玻璃料熔点的影响,熔点越高,造成的弯曲越小缓慢升温时铝背场不均匀,甚至出现没有铝背场的情况。而快速升温改善了铝背场的均匀性,但是也未能完全消除不均匀性,甚至50%的界面仍存在起伏。铝球大小的影响对于球形铝粒子,存在一个适当的尺寸引起的弯曲最小弯曲随铝浆丝印质量增加而增加。蒸铝和丝网印刷蒸铝时,增加沉积铝的厚度,只在快速升温情况下,性能随厚度

6、有所增加。在同时采用了快速烧结和厚铝时,提高烧结温度,性能改变很少。掺杂水平确实随温度增加而提高,但是长波响应变化甚微,可能与铝背场不均匀有关。丝网印刷Al背场并进行快速烧结,最佳烧结温度制得的电池性能与蒸铝得到的电池性能相当。Ag浆正面电极因为要减少电极遮光面积,所以使用导电性能良好的银浆,因为先前的减反射膜已经形成正面的电性绝缘,所以银浆一般掺有含铅的硼酸玻璃粉(PbO-B2O3-SiOglassfrit),在高温烧结时玻璃粉硼酸成分与氮化硅反应并刻蚀穿透氮化硅薄膜,此时银可以渗入其下方并与硅形成此种局部区域性的电性接触,铅的作用在银-铅-硅共熔而降低银的熔点。Ag与Si形成欧

7、姆接触的机理欧姆接触形成有如下几个步骤:有机物挥发玻璃料在减反射膜表面聚集玻璃料腐蚀穿过减反射膜玻璃料通过与Si发生氧化还原反应产生腐蚀坑PbO+SiPb+SiO2Ag晶粒在冷却过程中于腐蚀坑处结晶由于玻璃料对Si表面腐蚀具有各向异性,导致在Si表面形成了倒三角形的腐蚀坑。因此Ag晶粒在腐蚀坑处结晶时与Si表面接触的一侧呈倒金字塔状,而与玻璃料接触的一侧则成圆形。关于Ag晶粒的析出机理的解释有:(1)与PbO和Si发生的氧化还原反应类似,玻璃料中的Ag2O与Si发生如

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