模拟电子技术总复习ppt课件.ppt

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1、2.1集成电路运算放大器2运算放大器2.2理想运算放大器2.3基本线性运放电路2.4同相输入和反相输入放大电路的其他应用2.1集成电路运算放大器1.集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.1集成运算放大器的内部结构框图集成运算放大器是一种高电压增益，高输入电阻和低输出电阻的多级直接耦合放大电路。▷表示信号从左(输入端)向右(输出端)传输的方向。vNvPvOvNvPvO集成运算放大器的符号图2.1.2运算放大器的代表符号（a）国家标准规定的符号（b）国内外常用符号2.2理想运算放大器1.vo的饱和极限值等于运放的电源电压V＋和V

2、－2.运放的开环电压增益很高若（vP－vN）＞0则vO=+Vom=V＋若（vP－vN）＜0则vO=–Vom=V－3.若V－

3、项技术指标的近似计算（1）电压增益Av（2）输入电阻Ri所以（3）输出电阻Ro2.3.1同相放大电路5.电压跟随器根据虚短和虚断有vo＝vn≈vp＝vi（可作为公式直接使用）2.几项技术指标的近似计算（1）电压增益Av2.3.2反相放大电路（2）输入电阻Ri（3）输出电阻RoRo→02.4同相输入和反相输入放大电路的其他应用2.4.1求差电路2.4.2求和电路2.4.1求差电路从结构上看，它是反相输入和同相输入相结合的放大电路。当则若继续有则根据虚短、虚断和N、P点的KCL得：2.4.3求和电路根据虚短、虚断和N点的KCL得：若

4、则有（该电路也称为加法电路）本章作业：2.3.1b,c2.3.22.4.22.4.5(1)2.3.12.3.22.4.53二极管及其基本电路3.1半导体的基本知识3.3半导体二极管3.4二极管基本电路及其分析方法3.5特殊二极管3.2PN结的形成及特性本征半导体、杂质半导体有关概念自由电子、空穴N型半导体、P型半导体多数载流子、少数载流子end当PN结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流，PN结处于导通状态；当PN结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零，PN结处于截止状态。结论：PN结具有单向导电性。2、PN的单向

5、导电性正偏导通，反偏截止单向导电性1、PN结正偏时（），反偏时（），所以PN结具有（）导电性。练习：2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。3、空穴为（）载流子。自由电子为（）载流子的杂质半导体称为P型半导体。4、PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为（）反之称为（）3.3半导体二极管1、伏安特性流过二极管的电流与加在二极管两端的电压的关系曲线I=f(U)就是二极管的伏安特性。604020–0.002–0.00400.51.0–25–50I/mAU/V正向特性硅管的伏安

6、特性击穿电压反向特性–50I/mAU/V0.20.4–2551015–0.01–0.020锗管的伏安特性死区电压3.4二极管基本电路及其分析方法3.4.1简单二极管电路的图解分析方法3.4.2二极管电路的简化模型分析方法（1）理想模型（a）V-I特性（b）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型正偏导通，uD=0；反偏截止，iD=0U(BR)=3.4.2二极管电路的简化模型分析方法大信号模型（2）恒压降模型（a）V-I特性（b）电路模型uDiDUD(on)uD=UD(on)0.7V(Si)0.2V(Ge)（

7、3）折线模型（a）V-I特性（b）电路模型uDiDUD(on)UI斜率1/rDrD1UD(on)3.4.2二极管电路的简化模型分析方法1.二极管V-I特性的建模（4）小信号模型特别注意：小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT。（a）V-I特性（b）电路模型3.5特殊二极管3.5.1齐纳二极管(稳压二极管)1.符号及稳压特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。3.4.23.4.54双极结型三极管及放大电路基础4.1半导体三极管4.3放大

8、电路的分析方法4.4放大电路静态工作点的稳定问题4.5共集电极放大电路和共基极放大电路4.2共射极放大电路的工作原理4.6组合放大电路三极管的放大作用，主要是依靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到达集电极而实现的。实现这一传输过程的两个条件是：（1）内部条件