《模拟电子技术》期末总复习.ppt

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1、《模拟电子技术》期末总复习抓住基本概念基本知识和基本分析方法；注重知识的综合应用。总要求：半导体器件基础1.1半导体特性掺杂可改变和控制半导体的电阻率温度可改变和控制半导体的电阻率光照可改变和控制半导体的电阻1.2本征半导体排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。两种载流子（电子、空穴），成对出现。在电场作用下，载流子作定向运动形成漂移电流。半导体器件基础1.3杂质半导体（1）N型半导体（本征半导体＋5价元素）电子为多数载流子，空穴为少数载流子（2）P型半导体（本征半导体＋3价元素）电子为少数载流子，空穴为多数载流子1.4载流子的扩散与

2、漂移运动扩散运动是由于载流子浓度差产生的。扩散运动形成扩散电流漂移运动在电场作用下产生的。漂移运动形成漂移电流。2.1PN结形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移半导体器件基础导通电压硅（Si）:锗（Ge）：2.2PN结伏安特性（3）PN结电流方程：（2）加反向电压：扩散<漂移，（耗尽层变宽）反向电流（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）正向电流半导体器件基础2.3PN结反向击穿特性（1）电击穿（可逆）雪崩击穿－发生在掺杂浓度较低、反压较高（>6V）的PN结中。齐纳击穿－发生在掺杂浓度较高、反压不太高（<6V）的PN结中。（2）

3、热击穿（不可逆，会造成永久损坏）半导体器件基础PN结总电容Cj=CT+CDPN结正偏时，以扩散电容为主；PN结反偏时，以势垒电容为主。2.4PN结电容势垒电容CT:扩散电容CD:半导体器件基础3半导体二极管3.1二极管伏安特性（单向导电性）:硅管：Ur0.5门限电压Ur{锗管：Ur0.1反向饱和电流Is{硅管：IsnA级锗管：IsA级电压当量（室温下）：半导体器件基础3.2二极管的等效电阻等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。直流电阻:交流电阻：半导体器件基础3.3二极管的主要参数最大正向平均电IF;最大反向工作电压URM；反

4、向电流IR；最高工作频率fM。3.4稳压二极管(利用电击穿特性)稳压条件：反向运用,Iz,min

5、BO、ICEO、IEBO（越小越好）2.交流参数：（1）交流电流放大系数：（共基）、（共射）随ICQ变化（2）特征频率fT:随f增加而下降到1时对应的频率。3.极限参数：（1）集电极最大允许电流ICM（2）反向击穿电压：UCBO,B>UCEO,B>>UEBO,B（3）集电极最大允许耗散功率PCM：实际使用时Pc

6、强型MOSFETN沟道耗尽型MOSFETP沟道增强型MOSFETP沟道耗尽型MOSFETN沟道JFETP沟道JFET{{（学会判断类型）半导体器件基础4.2MOSFET1.增强型MOSFET可变电阻区:恒流区：静态偏置电压：半导体器件基础4.2MOSFET2.耗尽型MOSFET可变电阻区:或恒流区：半导体器件基础4.3JFET（属耗尽型）恒流区：转移特性数学表示式与耗尽型MOSFET相似，即：4.4各种FET的电压极性N沟道：uDS加“＋”；P沟道：uDS加“-”。增强型：uGS与uDS极性相同；耗尽型：uGS与uDS极性相反。半导体

7、器件基础4.5FET的主要参数1.直流参数阈值电压:(增强型)开启电压UGS,th;(耗尽型)夹断电压UGS,off。饱和漏电流IDSS:耗尽型FET参数（uGS=0,uDS=10V时测得）直流输入电阻：JFET:RGS=108~1012,MOSFET:RGS=1010~10152.交流参数跨导gm:转移特性曲线在Q点处的切线斜率半导体器件基础4.5FET的主要参数3.极限参数栅源击穿电压UGS,B漏源击穿电压UDS,B最大漏极耗散功率PDM4.6FET的特点（1）单极型器件（多子导电）（2）电压控制器件（3）输入电阻极高（>10

8、8）（4）噪声低，以JFET噪声最低（5）正常工作条件下，D、S极可互换使用。双极型电路的基本单元电路5.2构成放大器原则（1）晶体管正向运用（基极、发射极做输入）（2）要有直流通路（要有合理的偏置：发射结正偏，集电结