电子技术基础总复习ppt课件.ppt

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1、模拟电子部分第1章半导体器件一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子—自由电子空穴—价电子两种半导体N型(+5价多电子)P型(+3价多空穴)二、二极管1.特性—单向导电正向偏置时,二极管导通,等效为大小为UD(on)的电压源计算时硅管取0.7V,锗管取0.2V反向偏置时,二极管截止,相当于断路2.特殊二极管工作条件主要用途稳压二极管反偏稳压发光二极管正偏发光三、两种半导体放大器件双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)单极型半导体三极管(场效应管FET)两种载流子导电多数载流子导电晶体三极管1.形式与结构NPNPNP三区、三极、两结2.特点基极电流IB控制集电极电流IC并实现

2、放大放大条件内因:发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大外因:发射结正偏、集电结反偏3.电流关系IE=IC+IBIC=IBIE=(1+)IB四、晶体管电路的基本问题和分析方法三种工作状态状态电流关系条件放大IC=IB发射结正偏集电结反偏饱和ICIB两个结正偏ICS=IBS集电结零偏临界截止IB<0,IC=0两个结反偏判断导通还是截止:UBE>U(on)则导通以NPN为例:UBEUB>UE放大UEUCUB饱和2.电流判别法IB>IBS则饱和IB

3、放大测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.15所示。在圆圈中画出管子,并分别说明它们是硅管还是锗管。PNP硅管NPN硅管NPN硅管PNP锗管PNP锗管NPN锗管第2章放大电路的基本原理和分析方法一、放大的概念1、放大的对象:对变化量的放大;2、放大的本质:能量的控制和转换;4、放大的前提:不失真的放大。3、放大的基本特征:功率放大;有源元件能控制能量转换;有源元件要工作在合适的工作区域;二、放大电路的性能指标放大倍数Au;输入电阻Ri;输出电阻Ro;通频带fbw。放大倍数放大倍数是直接衡量放大电路放大能力的重要指标。设输入量为,输出量为则电压放大倍数:(无量纲)电流放大倍数

4、:(无量纲)本章着重讨论电压放大倍数。需要注意的是,在实际应用时,只有在波形不失真的情况下,测试的放大倍数才有意义。2.2基本共射放大电路的工作原理iBiCuBEuCE地放大元件iC=iB,工作在放大区,集电结反偏,发射结正偏。使发射结正偏,并提供适当的静态工作点IB和UBE。集电极电源,为电路提供能量。并保证集电结反偏。一、静态工作点(Q)IBQ、ICQ、UBEQ、UCEQ当ui=0时,为三极管的静态(Quiescent)静态时的工作点称为静态工作点,记为UBEQ=0.7v硅0.2v锗二、常见的两种共射放大电路1.直接耦合共射放大电路图2.2.4直接耦合共射放大电路特点:信号

5、源、负载与放大器直连共地单电源供电2.阻容耦合共射放大电路图2.2.5阻容耦合共射放大电路特点:具有隔直电容,信号源、负载不与放大器直连耦合电容三、放大电路的分析方法——直流通路与交流通路直流通路:在直流电源作用下直流电流流经的通路,也就是静态电流流经的通路,用于研究静态工作点。直流通路的特点:①电容视为开路;②电感线圈视为短路(即忽略线圈电阻);③信号源视为短路,但应保留其内阻。交流通路:交流通路:交流通路是输入信号作用下交流信号流经的通路,用于研究动态(交流)参数。交流通路的特点:①容量大的电容(如耦合电容)视为短路②无内阻的直流电源(如VCC)视为短路直流电源相当于接地分析

6、放大电路应注意:在分析放大电路时,应遵循“先静态,后动态”。求解静态工作点时应利用直流通路;求解动态参数时应利用交流通路。静态工作点合适,动态分析才有意义。分析时不一定非画出直流通路不可。一般采用习惯符号,即rbe=h11e=h21e;h12e很小,一般为10-210-3;图2.3.17h参数简化模型rbe得到简化电路:rce=1/h22e很大,约为100k。故一般可忽略它们的影响;五.晶体管的h参数等效模型其中对于低频小功率管rbb’≈(100~300)归纳:晶体三极管放大电路动态参数分析步骤:①分析直流电路,求出“Q”,计算rbe。②画电路的交流通路。③在交流

7、通路上把三极管画成h参数模型。④分析计算交流动态参数Au、Ri、Ro。HomeNextBack2.4放大电路静态工作点的稳定2.4.2.典型的静态工作点稳定电路(1)电路组成直流通路一、电路组成和Q点稳定原理2.5.3三种接法的比较晶体管放大电路的三种组态:共发射极放大电路既能放大电压,也能放大电流,输入电阻居中,输出电阻较大,频带较窄。常作低频电压放大。共集电极放大电路只能放大电流,不能放大电压。输入电阻最大、输出电阻最小,具有电压跟随的特点常用于多级放大的输入级和输出级,有时

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