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时间:2020-09-17
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1、内存知识概述内存的演化SDRAMDDR1DDR2DDR3SDRAM(SynchronousDRAM)的中文名字是“同步动态随机存储器”,它是PC100和PC133规范所广泛使用的内存类型,其接口为168线的DIMM类型(这种类型接口内存插板的两边都有数据接口触片)。SDRAM(SynchronousDRAM)内核频率时钟频率数据传输速率SDRAM的信号电平为LVTTL,工作电压3.3V,属于单端信号。对于同步存储器件,有三个与工作速率相关的重要指标:内核工作频率、时钟频率、数据传输速率。对于SDRAM而言,它的这三个速率是一
2、样的。SDRAM最高速率可达200MHz,设计中常用的速率有100MHz、133MHz、167MHz。SDRAM存储空间被分为若干逻辑块(BANK),取址时,首先需要提供BANK地址以找到待操作的逻辑块,然后需要提供行地址和列地址以在该BANK内定位存储单元。因此,在器件资料上,SDRAM存储容量的定义方式是:地址数×位宽×BANK数。由于行地址和列地址选择处于SDRAM操作的不同阶段,因此,行地址和列地址信号线可被相互利用。SDRAM(SynchronousDRAM)BANK数地址数位宽SDRAM(SynchronousD
3、RAM)由上面各信号线的条数可计算出,BANK数为2^1=2,位宽=16,地址数为2^11×2^8=2^19=512K,与数据手册所给出的相一致。引脚介绍SDRAM(SynchronousDRAM)基本操作SDRAM(SynchronousDRAM)SDRAM的基本操作方式有以下几种:空操作NOP、激活操作ACT、读操作WRITE、预充电操作PRECHARGE、自刷新操作SELFREFRESH、配置寄存器操作LOADMODEREG等。各操作方式是通过CS#、RAS#、CAS#和WE#这几根信号线的各种组合状态组合而选择的。基
4、本操作SDRAM(SynchronousDRAM)命令名称CS#RAS#CAS#WE#命令禁止(NOP:Commandinhibit)HXXX空操作(NOP:Nooperation)LHHH激活操作(ACT:Selectbankandactiverow)LLHH读操作(READ:Selectbankandcolumn,andstartREADburst)LHLH写操作(WRITE:Selectbankandcolumn,andstartWRITEburst)LHLL突发操作停止(BTR:Burstterminate)LHHL
5、预充电(PRE:Deactiverowinbankorbanks)LLHL自动刷新或自我刷新(REF:Autorefreshorselfrefresh)LLLH配置模式寄存器(LMR:Loadmoderegister)LLLLACT激活操作SDRAM(SynchronousDRAM)对SDRAM存储单元的取址需提供三个参数:BANK地址、行地址和列地址。ACT操作时,存储器控制器发出其中两个址:BANK地址和行地址,以便激活待操作的“行”。第三个参数,即列地址,将在READ或者WRITE操作中指定。此时,片选信号CS#和行选
6、通信号RAS#需有效,列选通信号CAS#和写使能信号WE#无效。在时钟的上升沿采样到行地址和BANK地址。READ读操作SDRAM(SynchronousDRAM)存储器控制器利用READ操作发出读指令,同时发出两个地址:BANK地址和列地址。READ操作的目的有两个,其一是发出读命令,其二是在地址总线上发出列地址。此时,片选信号CS#和列选通信号CAS#需有效,行选通信号RAS#和写使能信号无效WE#。在时钟的上升沿采样到列地址和BANK地址。READ参数SDRAM(SynchronousDRAM)1.RAStoCASde
7、lay,即RAS#信号有效后到CAS#信号有效,这之间的延时。在ACT指令选定待操作的行后,需要延时,才能切换到对列的选择。READ参数SDRAM(SynchronousDRAM)2.CLCASLatency,即CAS潜伏期参数。READ指令发出后,存储器根据采样得到的行地址和列地址,将对应存储单元的数据放大,以便传输到数据总线上,这个过程所消耗的延时称为CL。因此,从READ指令发出到数据总线上出现第一个数据,这之间的延时定义为CL。WRITE写操作SDRAM(SynchronousDRAM)WRITE操作与READ操作类
8、似,不同点在于WRITE时,需要有效WE#信号WRITE参数SDRAM(SynchronousDRAM)1.WriteRecoveryTime,写回时间,是指SDRAM将数据总线上待写入的数据导入内部存储单元所需要的时间。BURST突发操作SDRAM(SynchronousDRAM)目前内
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