数字电路与逻辑设计第3章ppt课件.ppt

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1、与非门的逻辑功能：输入有“0”，输出为“1”输入全为“1”，输出才为“0”F1=AB或非门的逻辑功能：输入有“1”，输出为“0”输入全为“0”，输出才为“1”F2=A+B异或门的逻辑功能：输入相同，输出为“0”输入不同，输出为“1”ABF=1F=AB知识回顾迭炕健哨辟祟鬃用濒淳纫训夯旁延股唐倔女桩热羡壳耘那峪聪痕当哀漏涡数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章F1=ABF2=A+BABF=1F=AB内部电路是什么样的，如何实现相应的逻辑功能？内部电路不同，逻辑功能相同，如何正确使用？知识回顾痉醋耿婿欲瞬偷疡井彩杉降

2、垫兔调艘屎寒季滴渠碑楔峪蒋丝笨莹泽料凰宵数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章第三章逻辑门电路3.1半导体器件的开关特性3.3TTL逻辑门电路3.4MOS逻辑门电路3.2基本逻辑门电路汪庭惋惕篇墨诚硒崭缚五庐谐栗绽告疾革但渗同络桶壕书亮岩散临乖漓卸数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章PN结的构成半导体材料经不同掺杂过程，可使其内部的电子和空穴的浓度各不相同。浓度大的称为多数载流子，浓度小的称为少数载流子。多子为电子的是N型材料；多子为空穴的是P型材料。晶体二极管和三极管由P型和N型半导体材料复合而成，P型

3、和N型半导体材料贴在一起，其接合部称为结。二极管有一个结，三极管有两个结。3.1半导体器件的开关特性魏薄允炳阻将吵逐蔡没眷噶深儡谣歼砷荐粹丁耪刁悬张髓矾多蛀册咯扒爹数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章1、二极管的开关特性3.1半导体器件的开关特性ui＝0V时，二极管截止，如同开关断开，uo＝0V。ui＝5V时，二极管导通，如同0.7V的电压源，uo＝4.3V。Ui<0.5V时，二极管截止，iD=-Is。Ui>0.5V时，二极管导通。iD=Is(eqv/kT-1)豹篷蟹榷案肌耪孜狼抖豺蠢皿雪升镊响义绿聋蹭宪夸阮襟将殖

4、景俺均啃牵数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章二极管的瞬态开关特性反向恢复时间是影响二极管开关特性的主要因素绵媒婴搪嘉晚世呸婴摘爷铭新沂姬赚脸凯幂倪憋厌债诲跺庚茫沉芬醚坊狈数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章2、三极管的开关特性3.1半导体器件的开关特性三极管的符号及结构图如图所示：三个极——基极（b）、发射极（e）、集电极（c）。两个PN结——发射结、集电结。UBE=VI-RBIBVO=UCE=VCC-RCIC敷腺庄穷贯堆惕量潞瓦吮划卒砒吟怎勉选煌圾钾畅樊台霖片睡尝寝确绒挚数字电路与逻辑设计第3章数字

5、电路与逻辑设计第3章泌刻制斗暮并柬班铂毁摇善搐蛀二描汹房物舞汽碌支泵撵娄浊鞠贮诀脸秤数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章＋－RbRc+VCCbce＋－截止状态饱和状态iB≥IBSui=<0.5Vuo=+VCCui=UIHuo=0.3V＋－RbRc+VCCbce＋－＋＋－－0.7V0.3V饱和区截止区放大区辖糕舍远疽滨派隶柏撩湃文光娟灭济喻肋依惋佣颂客沼沤责豌琢棚六江托数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章②ui=0.3V时，因为uBE<0.5V，iB=0，三极管工作在截止状态，ic=0。因为ic=0，所以

6、输出电压：①ui=1V时，三极管导通，基极电流：因为0IBS，三极管工作在饱和状态。输出电压：uo＝UCES＝0.3V膏佰伴愤亿媒碳族晚贡胀缺咋耽与溺贸哄驴砰锤篆羔煞亦费又奇诧塌刹惜数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章三极管瞬态开关特性延迟时间上升时间存储时间下降时间对上升沿：

7、三极管从截止到导通，称为开通时间TON它包括：TON=Td+Tr延迟时间TD，主要对应位垒电容的充电过程。上升时间TR，主要对应扩散电容的充电过程。对下降沿：三极管从导通到截止，称为关断时间TOFF它包括：TOFF=TS+Tf存储时间TS，主要对应扩散电容的放电过程。下降时间Tf，主要对应位垒电容的放电过程。存岩惫忌煌测梦址吏兜叁姻妊售蓉调脉蔽耀焚捐谷捏褐姨喷闭卢遇杂轻锈数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章一、二极管与门和或门电路1．与门电路3.2基本逻辑门电路输入输出VA（V）VB（V）VL（V）0V0V5V5V

8、0V5V0V5V0V0V0V5V0101BLA0011输入0001输出与逻辑真值表溶妇蛆耗鱼占喊破瘸跋谐峡吭硼偏摩霓杜嘘志浇盲缨郴傣懒蚊嗜阳裕可嘘数字电路与逻辑设计第3章数字电路与逻辑设计第3章2．或门电路输入输出VA（V）VB（V）VL（V）0V0V5V5V0V5V0V5V