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时间:2020-09-22
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1、数字电子技术自测练习第7章半导体存储器单项选择题填空题1数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题1、可由用户以专用设备将信息写入,写入后还可以用专门方法(如紫外线照射)将原来内容擦除后再写入新内容的只读存储器称为()。MROMA×PROMB×EPROMC√EEPROMD×分析提示MROM:掩膜ROM,完全只读存储器。PROM:可编程只读存储器,但只能一次编程。EPROM:用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。EEPROM:用电信擦除的可擦除可编程只读存储器。2数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题2、下列存储器中,存储的信息在断电后将消失
2、,属于“易失性”存储器件的是()。半导体ROMA×半导体RAMB√磁盘存储器C×光盘存储器D×分析提示半导体RAM分为静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)。静态RAM(SRAM),以寄存器为存储元件,只有在带电状态下才能存储信息。动态RAM(DRAM),利用MOS管的栅极电容对电荷的存储效应存储信息,电荷不能长期存储。半导体RAM属于“易失性”存储器。3数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题3、动态RAM的基本存储电路,是利用MOS管栅—源极之间电容对电荷的暂存效应来实现信息存储的。为避免所存信息的丢失,必须定时给电容补充电荷,这一
3、操作称为()。刷新A√存储B×充电C×放电D×分析提示动态RAM(DRAM)中,MOS管的栅极电容的容量很小而漏电流不绝对为零,电荷保存的时间有限,需定时对栅极电容补充电荷,以避免所存储的信息丢失。这一操作称为刷新。4数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题4、有10位地址和8位字长的存储器,其存储容量为()。256×10位A×512×8位B×1024×10位C×1024×8位D√分析提示10位地址所对应存储字数为:210=1024每个字的字长为:8位存储容量=字数×字长=1024×8位5数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题5、某ROM有1
4、1条地址线和8条数据线,其存储容量为()。2048×8位A×112×8位B×11×8位C×2048×8位D√分析提示11条地址线对应11位地址,所存储字数为211=20488条数据线对应每个字的字长为8位存储容量=字数×字长=2048×8位6数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题6、容量为2048×4位的RAM,其地址线和数据线的条数为()。4,4A×2048,4B×10,4C×11,4D√分析提示存储容量=字数×字长=2048×4位因211=2048所以有11条地址线因字长=4位所以有4条数据线7数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题7、
5、容量为256×4位的RAM,每个给定一个地址码所选中的基本存储电路个数为()。4个A√8个B×256个C×2048个D×分析提示存储容量=字数×字长=256×4位,RAM有256个字、字长为4位,每个字需用4个基本存储电路存储。每个给定一个地址码读、写一个字,所选中的基本存储电路个数为4个。8数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题8、容量为1024×4位的RAM,含有基本存储电路的数量为()。1024个A×10B×4个C×4096D√分析提示存储容量=字数×字长=1024×4位,RAM有1024个字、字长为4位。每个字需用4个基本存储电路存储
6、,1024个字需用1024×4=4096个基本存储电路存储。9数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题9、具有对存储矩阵中的存储单元进行选择作用的是存储器中的()。地址译码器A√读写控制电路B×存储矩阵C×片选控制D×分析提示地址译码器对地址码进行译码,产生对存储矩阵中的存储单元进行选择的选择信号,实现从存储矩阵中选择出存储单元。10数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题10、随机存储器RAM的I∕O端口为输入端口时,应使()。A√B×C×D×分析提示片选信号=0,RAM处于工作状态;读/写控制信号=0,RAM进行写操作,I/O端口为输入端口
7、。11数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题11、正常工作状态下,可以随时进行读、写操作的存储器是()。EPROMA×PROMB×MROMC×RAMD√分析提示RAM为随机存取存储,正常工作状态下,可以随机选择存储单元进行读、写操作。12数字电子技术第7章半导体存储器单项选择题12、用户不能改变存储内容的存储器是()。MROMA√PROMB×EPROMC×以上均对D×分析提示MROM:掩膜ROM,完全只读存储器。PROM:可编程只读存储器,但只能一次编程。EPROM:用紫外线照射擦除的可擦除可编程只读存储器。13数字电子技术第7章半导体存储器
8、单项选择题13、随机存储器RAM在正常工作状态下,具有的功能是()。只有读功能A×只有写功能B×即有读功能、又有写功能C√无读写功能D×分析提示RAM
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