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时间:2020-09-08
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1、1.MOS晶体管的工作原理:靠沟道传导电流,如何形成沟道以及外部电压变化情况。2.MOS晶体管通用阈值电压方程、电流方程(截止,线性,饱和以及相关电压范围)。3.MOSFET相关电容(覆盖电容,偏置电容)4.NMOS、CMOS反相器的直流特性(工作状态)5.CMOS反相器Vth的计算(注意条件)6.CMOS反相器的传播延迟时间7.对延迟时间的分析(高变低,低变高)8.理想反相器9.外部电容分量和内部电容分量对延迟时间的影响10.CMOS反相器的电源电压按比例减小(由反相器功耗的表达式得出)、最小值。11.静态CMOS逻辑门的构成特点及或非门Vth
2、的计算12.NMOS:串与并或。PMOS:串或并与13.CMOS传输门特性(NMOS管状态PMOS管状态及其等效电阻以及优点)14.动态逻辑电路存在的问题15.预充—求值动态CMOS电路原理16.预充—求值动态CMOS电路电荷分享问题及其影响17.多米诺CMOS电路特点18.解决多米诺CMOS电路电荷分享问题的方法1.NORACMOS逻辑电路特点2.真单相时钟动态CMOS电路特点3.时序逻辑电路种类4.双稳态特性
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