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时间:2018-12-04
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1、CMOS级逻辑电路实现综述 CMOS级逻辑电路实现综述 CMOS逻辑电路,分两部分,上拉部分,下拉部分。上拉部分由PMOS管电路构成,下拉部分由NMOS管电路组成,如下。上下拉,形成互补。 由前面的基础可知,CMOS只能实现基本逻辑的非,比如或逻辑,与逻辑,如果不加反相器,CMOS只能实现或非,与非逻辑。原因就是上拉逻辑只能用PMOS实现,下拉逻辑只能由NMOS实现,而PMOS的导通需要输入信号为0,NMOS导通需要输入信号为1。 既然如此,我们在用CMOS实现逻辑电路时,一般可以照如下顺序去做: 1.
2、可以先将其整体先加上一个非,作相应的逻辑转化。 2.上拉逻辑中各个PMOS,与操作为并联,或操作为串联。 3.下拉逻辑中各个NMOS,与操作为串联,或操作为并联。 比如我们想从CMOS层去实现逻辑OUT=D+A*(B+C)(减号“-”表示取反(非)操作,“+”表示或,*表示与)。 设计过程如下: 1.OUT=-(-(D+A*(B+C))) 2.OUT1=-(D+A*(B+C)) 3.OUT=-OUT1 对于OUT1=-(D+A*(B+C)),正好是逻辑整体上带了个非。 故对于上拉逻辑: 或操作为串
3、联,从而输入B,C接到的PMOS之间为串联。 与操作为并联,故输入A接到的PMOS跟B,C或逻辑之间为并联。 或操作为串联,故D与A*(B+C)的PMOS逻辑为串联。 对于下拉逻辑与上拉逻辑正好相反: 或操作为并联,从而输入B,C接到的NMOS之间为并联。 与操作为串联,故输入A接到的NMOS跟B,C或逻辑之间为串联。 或操作为并联,故D与A*(B+C)的NMOS逻辑为并联。 从而得到OUT1=-(D+A*(B+C))的CMOS实现如下: OUT=-OUT1,故得最终答案如
4、下: 当然,在MOS管级别还可以做一些优化,比如MOS管级别的逻辑优化,MOS管栅源共用,晶体管尺寸调整,重新安排各个输入的上下顺序等等,都可以在MOS管级别使得电路的时序与面积功耗等得到优化,但这不是我们的重点,一般对于全定制IC设计会从MOS管级开始考虑电路的实现。这里我们只是对其做一个了解。 我们今后的重点将会注重于门级以上的电路实现与优化,特别是到了Verilog描述,主要着重于数据流级,行为级描述。
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