电科集成电路设计试卷.doc

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1、东华理工学院2009—2010学年第1学期课程名称：集成电路设计基础期末考试试题（A）卷4.分析基本电流镜的基本原理。5.画出CMOS反相器的版图。五、分析下图，回答问题（15分）其中，1.该图有错误，请在图中修改2.该电路有几级放大，分别是什么电路结构？3.如何稳定该电路频率响应？请在图中画出。3.计算该电路功耗4.计算该电路增益一填空题（每空一分，共10分）1.在集成电路设计中，常用的电路仿真软件有_____________________、______________2.在模拟集成电路中MOS晶体管是四端器件即：_______、______

2、__、_______、______.3.MSO管的主要几何参数：____________、_________________、__________________。4.饱和区MOS管的直流导通电阻表达式是：________________________________________二、选择题（每题2分，共10分）1.NMOS管的电路符号是（）2.按比例缩小有三种理论，下面选项哪个不是（）A恒定电场CFB恒定电压CVC准恒压QCCCVD摩尔3.根据CF理论，对MOS器件来说，器件的纵向尺寸按比例缩小a倍，则本征增益（）倍A1B增大a倍C减

3、小a倍D04.下面哪个单级放大器的增益小于1（）A共源B共漏C共栅D共源共栅5.MOS管通常工作在（）区A截止B饱和区C线性区D二极管区三、判断题（每题一分，共5分）1.亚阈值导通是一个短沟道效应，通常只有沟道长度小于2um的MOS晶体管才会发生亚阈值导通。（）2.可采用Cascode（共源共栅）技术来提高共源放大器的跨导.()3.单级放大器的输入阻抗与输出端所接的负载阻抗有关；4.差分放大器因随机失配引起的失调电压是一个直流量，它不会影响放大器的小信号增益。（）5.在集成电路设计中，一般负载管采用PMOS管，驱动管采用NMOS管。（）四、简答题

4、（每题10分，共60分）1.分析NMOS管的工作状态并画出I/V曲线。2.在集成电路版图设计中，电阻的实现方式有哪些？3.画出电阻做负载的共源、共栅、共漏单级放大器电路结构，并画出相应输入输出特性曲线、电压增益。二对比NMOS和PMOS在集成电路设计中的功能异同。(10分)三IC设计常用软件有哪些？(10分)说明：1.试题集中填写（或打印）在方格内，字迹须工整清晰，答题纸另附；2.试题须经学院（或系）领导审核、签字；3.学生接到试卷后，应先检查是否有缺页，如有及时报告监考老师更换。