电极银浆银粉特性对瓷介电容器性能的影响.docx

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1、电极银浆银粉特性对瓷介电容器性能的影响*谷天鹏1,2,甘国友1,余向磊1,赵汝云2,李文琳2,李俊鹏2*(1.昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;2.昆明贵金属研究所稀贵金属综合利用新技术国家重点实验室,昆明650106)摘要:研究了在高温烧结条件下银粉的物理化学参数对BaTiO4瓷介电容器电容量与电容损耗的影响。采用不同粒径和比表面积的银粉制备电容器电极银浆,用比表面积测试仪(SSAA),激光粒度仪(LPSA),场发射扫描电子显微镜(FESEM)检测样品结构并对样品进行电容测试。测试结果为采用高比表面积(7.7m

2、2/g)的类球型超细银粉制成的银浆在830°C条件下烧结后银膜致密平整,采用此银浆作为电极的电容器平均电容为9.17nF,电容损耗为0.68%。实验结果说明,增大银粉的比表面积,能够提高银电极的烧结致密程度,进而影响电容器的性能。关键词:瓷介电容器,超细银粉,电容量,电容损耗,比表面积中图分类号:TB146.3+2文献标识码:AEffectofSilverPowderCharacteristicsofElectrodeSilverPasteonthePerformanceofCeramicCapacitorGUTianpeng1

3、,2,GANGuoyou1,YUXianglei1,ZHAORuyun2,LIWenlin2,LIJunpeng2*(1.FacultyofMaterialsScienceandEngineering,KunmingUniversityofScienceandTechnology,Kunming650093,China;2.StateKeyLaboratoryofAdvancedTechnologiesforComprehensiveUtilizationofPlatinumMetals,KunmingInstituteofPr

4、eciousMetals,Kunming650106,China)Abstract:Inthispaper,theeffectofphysicalandchemicalparametersofsilverpowderintheformofhigh-temperaturesinteringconditionsoncapacitanceandcapacitancelossofBaTiO4ceramiccapacitorisstudied.Theelectrodesilverpastewaspreparedbysilverpowder

5、withdifferentparticlesizeandspecificsurfacearea.Thestructureofmaterialswereinvestigatedbyspecificsurfaceareaanalyzer(SSAA),laserparticlesizeanalyzer(LPSA),fieldemissionscanningelectronmicroscope(FESEM).Andthecapacitanceofthesamplewastested.Thetestrevealedthataftersin

6、teredat830°C,thesilverpastemadewithhighSA(7.7m2/g)ultrafinesphericalsilverpowderbecomesacompactandsmoothsilverfilm.Theaveragecapacitanceofthecapacitorusingthissilverpasteaselectrodeis9.17nF,thecapacitancelossis0.68%.Theresultsshowthatthesilverpowderwithhighspecificsu

7、rfaceareacanimprovethedenseofsilverelectrode,therebyaffecttheperformanceofceramiccapacitor.Keywords:Ceramiccapacitor,ultrafinesilverpowder,capacitance,capacitanceloss,specificsurfacearea0引言瓷介电容器广泛应用在各种高、低频电路和电源电路中,起耦合、谐振、退耦、滤波、降压、旁路、定时等作用,具有低等效串联电阻(ESR)、小尺寸、大容量等特性,广泛

8、应用于家用电器、军工航天等各信息领域,是世界上用量最大,发展最快的片式元件之一Error!Referencesourcenotfound.。电容量与电容损耗是其最为重要的电性能指标。而钛酸钡(BaTiO4)陶瓷是一种强介电化合物材料,具有高介电常数和低介电损耗,

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