瓷介电容器分类及相关特性

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1、瓷介电容器的分类及相关特性瓷介电容器的分类及相关特性瓷片之构造乃在瓷质诱电体及银电极所构成之素子电极上焊接导线而成。可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。1、I型（CC型）特点是体积小，损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。2、II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。一CC1型圆片高频瓷介电容适用于谐振回路及其他电路做，耦合，隔直使用。损耗：《0.025绝缘电阻：10000mohm试验电压：

2、200v允许偏差：5p(+-0.5p)6-10p(+-1P)10p以上（J,K,M）温度系数：-150----1000PPM/C环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%二CT1型圆形瓷片低频电容环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%工作电压50V电容范围和允差：101—472（+-10%）472-403（+80---20%）三CC01圆形瓷片电容环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%大气压力750+-30mmhg允许偏差：5p(+-0.5p)6-10p(+-

3、1P)10p以上（J,K,M）：1—4P+120(+-60)PPM4—56P–47(+-60)PPM56—180P–750(+-250)PPM180—390P–1300(+-250)PPM430—820P–3300(+-500)PPM四CT01圆形瓷片电容环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达96%大气压力750+-30mmhg损耗《0.05绝缘电阻：1000mohm允差：+80-20%容量：1000-47000p工作电压：63v试验电压：200v五独石瓷介电容器5.1CC4D独石瓷介电容

4、器环境温度：-55—85C相对湿度：+40C时达98%大气压力666.6PA损耗《15*10(-4)容量：100-100000p工作电压：40v试验电压：120v5.2CT4D独石瓷介电容器环境温度：-55—85C相对湿度：+40C时达98%大气压力1000PA损耗《0.035容量：0.033-2.2uf工作电压：40v-100v试验电压：3UW允差：+80-20%六CC2,CT2管形瓷介电容器与片形瓷介电容相比，机械强度高，用作旁路时内电极屏蔽性能好，用在高频电阻杂散耦合好，缺点是固有低，制造工

5、艺复杂，产量低。CT2损耗《0.04绝缘电阻<1000mohm试验电压：480v使用条件：-55—85c相对湿度：40C时达98%七CC10超高频瓷介电容可用于《500MHZ下，环境温度：-55—85C相对湿度：+40C时达98%压力33mmhg震动强度：加速度10g冲击：加速度25g离心：加速度15g允差：k容量：1-47p工作电压：500v八CC11,CT11园片无引线瓷片电容该电容特为高频头设计，频率特性好。CC11直流电压：250V标称容量：3—39P损耗：《0.0015绝缘》10000m

6、ohmCT11直流电压：160V标称容量：240—1500绝缘》2500mohm九CT82,CC82高压高功率瓷片电容环境温度：-25—85C相对湿度：+40C时达98%大气压力40000PA震动：加速度15g冲击：加速度15g额定电压：1—4kv试验电压：2.5—8kv允差：K,M十CC3,CCTD型叠片瓷介电容器CCTF型方形叠片瓷片电容器CC3损耗《0.0015容量：33-1000P允差：K,M工作电压：100VCCTD损耗《0.035容量：470-33000P允差：+80-20%工作电压：

7、250VCCTF损耗《0.04容量：10000-47000P允差：+80-20%工作电压：160V十一CC53,CC52,CT53,CT52穿心式瓷介电容该类电容使用于VHF,UHF调谐器和其他无线电设备中做高低频旁路滤波用。CC52E-1C容量：2-33P工作电压：63V绝缘电阻：10000mohm损耗：《0.0015CC53-2C容量：1000-1500P工作电压：160V绝缘电阻：1000mohm损耗《0.035十二CT87鼓形高压低频瓷介电容器该电容主要使用于电子设备的。CC87-1容量：

8、470P工作电压：10KV绝缘电阻：10000mohm十三CCG81型板形高功率瓷介电容使用于大功率高频电子设备中。容量：1000P工作电压20KV(高频15KV)额定无功功率：100KVA最大电流：25A最大重量：1.3KG