Mott–Schottky-莫特-肖特基-专题.docx

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1、【专题】Mott-Schottky测试及数据处理作者:jjfyj??收录日期:2010-12-05??发布日期:2010-11-28发现很多虫友对Mott-schottky技术提问的很多，但基本上没有明确的答复。我对此技术了解得也很少，本质上来说，Mott-schottky属于固体物理学的知识。由于本人才疏学浅，接触它也仅仅几天的时间，因此无法对Mott-schottky曲线的分析以及更加高深的部分进行解答，万望谅解。今就如何在上海辰华CHI660B电化学工作站测试Mott-schottky曲线，以及如何进行数据处理，说一下自己的经验。不当之处祈盼大牛指正，大家共同学习提高。作者：jjfyj1

2、、Mott-schottky测试 ??测试技术采用Impedance-Potential，如图所示： 接着设置参数： ??我的理解是，Mott-schottky属于固定频率测试阻抗随电位的变化关系。 yaya2566虫友（ liaofan33虫友（ ??均问到参数的设置问题。从第二张图上我们可以看到，需要设置的参数分别有初始电位，终止电位，电位增幅，幅值（对应于文献中的交流扰动信号/正弦波交流电信号），频率等等。 ??首先，需要自己拟定合适的电位区间，大家可以去查找自己领域的文献。电位增幅，我选择的是很低的，觉得这样测定出来的数据更加准确，就像极化曲线或CV中扫速越小，曲线越精确一样，不

3、知这样理解是否正确，留待大牛斧正。幅值，我觉得与EIS是一样的，一般选择5mV或10mV，由于Mott-schottky一般是来研究半导体型的钝化膜，10mV为宜。频率的选择，我们可以选择不同的频率做一系列曲线，如果测试频率的增加使各曲线电容值减小,表明电容对频率的依赖，Mott-schottky曲线随频率变化发生弥散现象（可参考张云莲，史美伦，陈志源的《钢筋钝化膜半导体性能的Mott_Schottky研究》和孔德生，李亮的《电容测量研究铬表面氧化膜的半导体性能》） ??至于直流电偏移一项，CHI660B给出的说明是： Whendccurrentishighandaccurrentislow,

4、thesensitivitycannotbeincreasedbecausedccurrentwilloverflow.Thisproblemismoreseriouswhenthefrequencyisrelativelylow.Byapplyingdccurrentbias,itallowshigheracsignalamplification.A16-bitDACisusedforthispurpose.Ifdccurrentisnotexpectedtobelargeandthefrequencyishigh,onemaynotwanttobiasdccurrent. 大家可以自行判断

5、。 ??最后一项是灵敏度，说明书给出的解释是Thesensitivityscalesettingisautomaticbydefault.Duringtheexperiment,thesystemteststhecurrentsizeanddeterminesthepropersensitivityscale.Itusuallyworkswell.Thesensitivityscalesettingcanalsobemanuallyoverridden.Incertain cases,itmayprovidebetterresults.因此我保留的是默认值。 ??中间几项也采用默认数值。 作者

6、：jjfyj二、Mott-schottky曲线的显示 ??试验完成后，显示的图形为LogZ-E图，我们可以另起改为Mott-schottky曲线形式显示。 Graphics-Graphoption 在Data下拉菜单中可以看到有两个Mott-schottky曲线可供选择 区别在于电容的不同，一个Cs一个是Cp。 下标s为series串联；p为parallel并联 jruij虫友（ 作者：jjfyj三、数据处理 ldy1985虫友（[url]bbs/?tid=）和llaa虫友([/url]option中转换看到。 其实，这就需要进行简单的计算了，当然不必用手工计算，我们可以在origin里自

7、拟公式加以解决。 1、首先，将convert好的txt打开 删除header信息： 2、在Origin中导入数据 选取importsingleascii 3、删除数据以上的各行 假如忽略此步骤，再添加新列进行计算时，会提示1600错误 4、新增两列，分别是C和1/C^2 C列setvolumevalues公式为： 1/C^2列计算公式为： [Lasteditedbyjjfyjon201