mott–schottky(莫特-肖特基)专题

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1、【专题】Mott-Schottky测试及数据处理作者:jjfyj  收录日期:2010-12-05  发布日期:2010-11-28发现很多虫友对Mott-schottky技术提问的很多,但基本上没有明确的答复。我对此技术了解得也很少,本质上来说,Mott-schottky属于固体物理学的知识。由于本人才疏学浅,接触它也仅仅几天的时间,因此无法对Mott-schottky曲线的分析以及更加高深的部分进行解答,万望谅解。今就如何在上海辰华CHI660B电化学工作站测试Mott-schottky曲线,以及如何进行数据

2、处理,说一下自己的经验。不当之处祈盼大牛指正,大家共同学习提高。作者:jjfyj1、Mott-schottky测试  测试技术采用Impedance-Potential,如图所示:接着设置参数:  我的理解是,Mott-schottky属于固定频率测试阻抗随电位的变化关系。yaya2566虫友(http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=2606750)liaofan33虫友(http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=2345087)  均

3、问到参数的设置问题。从第二张图上我们可以看到,需要设置的参数分别有初始电位,终止电位,电位增幅,幅值(对应于文献中的交流扰动信号/正弦波交流电信号),频率等等。  首先,需要自己拟定合适的电位区间,大家可以去查找自己领域的文献。电位增幅,我选择的是很低的,觉得这样测定出来的数据更加准确,就像极化曲线或CV中扫速越小,曲线越精确一样,不知这样理解是否正确,留待大牛斧正。幅值,我觉得与EIS是一样的,一般选择5mV或10mV,由于Mott-schottky一般是来研究半导体型的钝化膜,10mV为宜。频率的选择,我们可

4、以选择不同的频率做一系列曲线,如果测试频率的增加使各曲线电容值减小,表明电容对频率的依赖,Mott-schottky曲线随频率变化发生弥散现象(可参考张云莲,史美伦,陈志源的《钢筋钝化膜半导体性能的Mott_Schottky研究》和孔德生,李亮的《电容测量研究铬表面氧化膜的半导体性能》)  至于直流电偏移一项,CHI660B给出的说明是:Whendccurrentishighandaccurrentislow,thesensitivitycannotbeincreasedbecausedccurrentwillo

5、verflow.Thisproblemismoreseriouswhenthefrequencyisrelativelylow.Byapplyingdccurrentbias,itallowshigheracsignalamplification.A16-bitDACisusedforthispurpose.Ifdccurrentisnotexpectedtobelargeandthefrequencyishigh,onemaynotwanttobiasdccurrent.大家可以自行判断。  最后一项是灵敏度,

6、说明书给出的解释是Thesensitivityscalesettingisautomaticbydefault.Duringtheexperiment,thesystemteststhecurrentsizeanddeterminesthepropersensitivityscale.Itusuallyworkswell.Thesensitivityscalesettingcanalsobemanuallyoverridden.Incertaincases,itmayprovidebetterresults.因此

7、我保留的是默认值。  中间几项也采用默认数值。作者:jjfyj二、Mott-schottky曲线的显示  试验完成后,显示的图形为LogZ-E图,我们可以另起改为Mott-schottky曲线形式显示。Graphics-Graphoption在Data下拉菜单中可以看到有两个Mott-schottky曲线可供选择区别在于电容的不同,一个Cs一个是Cp。下标s为series串联;p为parallel并联jruij虫友(http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=701502)的解

8、释我认为是合理的。作者:jjfyj三、数据处理ldy1985虫友([url]http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=2185899)和llaa虫友(http://emuch.net/bbs/viewthread.php?tid=1753161)等问到了一个关键性的问题:convert之后的txt文本打开来,依然只有potential

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