模拟电路复习总结ppt课件.ppt

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1、努力学习，注意身体艰苦的历程已完成一多半了。基本器件第1章基本器件二极管三极管场效应管（1）熟悉下列定义、概念及原理：自由电子与空穴，扩散与漂移，复合，空间电荷区，PN结，耗尽层。（2）了解本征半导体、杂质半导体；（3）理解因浓度差而产生的运动为扩散运动，因电位差而产生的运动为漂移运动。（4）了解PN结的单向导电性、反向击穿特性、温度特性和(5)掌握三极管的工作原理和主要特性一、两种半导体和两种载流子两种载流子的运动电子—自由电子空穴—价电子两种半导体N型(多电子)P型(多空穴)二、二极管1.特性—单向导电正向电阻小(理想为0)，反向电阻大()。iDOuDU(BR)IF

2、URM2.主要参数正向—最大平均电流IF反向—最大反向工作电压U(BR)(超过则击穿)反向饱和电流IR(IS)(受温度影响)IS3.二极管的等效模型理想模型(大信号状态采用)uDiD正偏导通电压降为零相当于理想开关闭合反偏截止电流为零相当于理想开关断开恒压降模型UD(on)正偏电压UD(on)时导通等效为恒压源UD(on)否则截止，相当于二极管支路断开UD(on)=(0.60.8)V估算时取0.7V硅管：锗管：(0.10.3)V0.2V折线近似模型相当于有内阻的恒压源UD(on)4.二极管的分析方法图解法微变等效电路法5.特殊二极管工作条件主要用途稳压二极管反偏稳压

3、发光二极管正偏发光光敏二极管反偏光电转换判断电路中二极管工作状态的方法1.断开二极管，分析电路断开点的开路电压。如果该电压能使二极管正偏，且大于二极管的死区电压，二极管导通；否则二极管截止。2.如果电路中有两个二极管，利用方法1分别判断各个二极管两端的开路电压，开路电压高的二极管优先导通；当此二极管导通后，再根据电路的约束条件，判断另一个二极管的工作状态。二极管导通的判定对于图a，经判断知，D1、D2两端的开路电压分别为：D2反偏电压为5VD1导通ＵAB=0VD2截止V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(a)10V，–5V二极管导通的判定对于图b，经判断知，

4、D1、D2两端的开路电压分别为即D1上的反偏电压为15VD2优先导通ＵAB=–15VD1截止10V，25VD2导通后V115V10VV2R2kWUABB+_D2AD1(b)二极管导通的判定如图，已知ui＝10sinωt(v)，试画出ui与uo的波形。设二极管正向导通电压可忽略不计。uO10ui(V)ωtuOωt二极管导通的判定例：如图，E＝6V，二极管正向压降忽略不计，画出uo波形。EV1uiuO10ui(V)ωt6EV2R－6ui>E，V1导通，V2截止u0=E=6V－E

5、二极管导通的判定三极管一、两种半导体放大器件双极型半导体三极管(晶体三极管BJT)单极型半导体三极管(场效应管FET)两种载流子导电多数载流子导电晶体三极管1.形式与结构NPNPNP三区、三极、两结2.特点基极电流控制集电极电流并实现放大放大条件内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大外因：发射结正偏、集电结反偏3.电流关系IE=IC+IBIC=IB+ICEOIE=(1+)IB+ICEOIE=IC+IBIC=IBIE=(1+)IB三极管与二极管不同之处，三极管具有电流放大作用。放大有两层含义：一：放大的对象是变化量，而不一个恒定量；二：是放大作用实质上是一种

6、控制作用，即用弱小的基极电流IB控制较大的集电极电流IC的大小。因此，三极管也可以理解为受控电流源。三极管与二极管不同之处4.特性iC/mAuCE/V100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O369124321O0.40.8iB/AuBE/V60402080死区电压(Uth)：0.5V(硅管)0.1V(锗管)工作电压(UBE(on))：0.60.8V取0.7V(硅管)0.20.3V取0.3V(锗管)放大区饱和区截止区放大区特点：1)iB决定iC2)曲线水平表示恒流3)曲线间隔表示受控（1）根据管脚电位，判别管脚的极性。三个电极的电位从低到高依次排序；中间电

7、位对应的管脚是基极B；与中间电位相差约一个导通电压的管脚是发射极E（2）根据基极B与发射极E的电位差，判断三极管的材料。（3）根据各极电位，判断三极管的类型。三极管管脚、材料、类型的判断方法例：由三极管各管脚电位判定三极管属性（1） A:1VB：0.3VC:3V（2）A:－0.2VB:0VC:－3V︱UBE︳≈0.2V(锗管）︱UBE︳≈0.7V(硅管）解：（1）硅管、NPN管A：基极；B:发射极；C:集电极（2）锗管、PNP管A:基极；B:发射极；C:集电极步骤：1.区分硅管、锗管，并确定C极（以相近两个电极的电压差为据，U