三安设备管理培训V.ppt

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1、三安设备管理培训设备中心演讲目录一、设备介绍1、外延设备MOCVD2、芯片设备前道：黄光站、蒸镀站、薄膜站、清洗站后道：研磨站、划裂站、测试站、分选站、目检站二、管理培训-TPM（TotalProductiveMaintenance）1、TPM的概念2、TPM-零故障设备介绍-外延设备MOCVDMOCVD:MetalorganicchemicalVapourDeposition金属有机化学气相沉积市场上MOCVD机型：（1）VEECO：D300（21片）、E400（45片）、E450（54片）、E475（60片）、K465（45片）、K465I（54片）（2）ThomasSwa

2、n(已被AIXTRON收购)：CriusⅠ（31片）、CriusⅡ（55片）（3）AIXTRON：G3（24片）、G5（56片）MOCVD反应室比较TurboDisk技术，主要是利用最高速旋转(800-2000rpm)來制造出线性层流，达到外延成长的目的。优点：产能大，操作简单，产量最高，很适合公司大规模生产。VEECO-K465IAIXTRON-Crius系列ShowerHead技术，主要是高密度的阵列噴嘴，密集而均匀的噴出III/V族Source达到外延成長的目的。优点：产能大，均匀性好、设备稳定高、源耗少、维护简单。适合集中性高的高端产品、或对波长敏感的绿光LED。III

3、(MO)V(NH3)100tubes/inch2tube=0.6mmThermocoupleTungstenheaterGasinletShowerheadReactorlidOpticalprobeShowerheadwatercoolingH.DoubleO-ringsealI.SusceptorJ.WatercooledchamberK.QuartzlinerL.SusceptorsupportM.ExhaustShowerhead剖面图自转载盘是Aixtron自行开发的GaNMOCVD，与其他设备最大差异在于:它采用了水平式气流与行星转盘(公转+自转)的载盘,自转载盘

4、通过气流自转。优点：均勻性佳、设备与设备之间的一致性与稳定性高。缺点：操作较为复杂(更换备件频繁)、系统敏感、对操作精密性要求高。AIXTRON-G5透过TripleInjector的噴头將III/V族气体水平噴出、当基板表面温度达到成长条件时，即可在基板表面长成薄膜。加热方式：射频加热TripleGasInjector设备介绍-芯片设备芯片工序流程清洗站（去除铟）->黄光站(ICP光罩)->ICP站(台面蚀刻)->清洗站(去光阻)->ICP站(蚀刻深度)->合金站(去除ICP损伤)->清洗站(预清洗)->蒸镀站(ITO)->清洗站(清洗)->黄光站(ITO光罩)-清洗站(IT

5、O蚀刻)->合金站(TCL熔合)->黄光站(Pad光罩)->蒸镀站(Pad蒸镀)->清洗站(掀金)->合金站(Pad熔合)->清洗站(清洗)->蒸镀站(PV薄膜)->黄光站(PV光罩)->清洗站(清洗)->打线(Pad)->接线拉伸测试->清洗站(剥落实验)->储藏室共4道光罩共60个工序步骤目前三安芯片工序3道、4道、5道光罩均有序号ABCDEF3道33.9%计划投片量机台使用率（C/B）返工率机台数量5道66.1%1PSS衬底投片量300,0002匀胶机321,173306,00095.28%2%返工3光刻机327,029306,00093.57%2%返工4自动显影机382

6、,617306,00079.98%2%返工5PECVD335,405330,00098.39%10%返工6MOCVD310,881297,33995.64%7芯片投片量225,4268ITO蒸镀487,834229,93447.13%2%返工9匀胶机360,026234,53365.14%2%返工10光刻机334,209234,53370.18%2%返工11ICP327,280234,53371.66%2%返工12PECVD（低温）250,917252,928100.80%10%返工13PECVD（高温常规）354,389252,92871.37%10%返工14Metal蒸镀3

7、53,938247,96970.06%10%返工15Metal溅镀80,81916RTA129,02417上蜡机285,399225,42678.99%研磨良率97.7%18磨削机314,499225,42671.68%19粗抛机344,082225,42665.52%20软抛机302,474225,42674.53%21DBR302,313141,69646.87%22划片机261,103220,24184.35%划裂良率99.3%23裂片机325,985220,24167.56%24点测