兰唯硅片尺寸.doc

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1、硅片尺寸：单晶硅——125X125mm：准方对角线150mm(148.58m2)准方对角线165mm(154.84m2)多晶硅——156X156mm(243.36m2)晶体硅电池的技术提高精细的表面织构化工艺——超小晶粒、超稳定、表面、活性剂的运用、多晶硅链式清洗工艺扩散工艺——软着陆、负压扩散、高低温扩散去边技术——干泵的运用、微波等离子体源、离域技术、湿法刻蚀技术等离子镀膜——各种频率、各种方式丝网印刷——柔性皮带式、转盘式已成趋势、多头丝印、网板的改进烧结技术——快速升温、降温、浆料的改进硅片质

2、量的提升对电池效率提升最大的因素：硅片质量、浆料与网板、清洗即将进入晶体硅电池规模化生产的新技术选择性发射电极技术1——丝网印刷型（单：18%，多：17%）选择性发射电极技术2——激光掺杂+光诱导化学镀（单：19%，多：18%）化学镀增厚栅线——（单：18%，多：16.5%）背表面钝化技术——激光打孔（单：>20%，多：18%）背结技术——EWT、IBC、主栅移至背面（单：>20%，多：18%）HIT技术——双层非晶硅（>20%）结论：未来1~2年内使用传统丝网印刷技术可以将效率提高到：单晶硅—18%

3、，多晶硅—16.5%使用较廉价的激光掺杂技术可以将效率提高到：单晶硅—19%，多晶硅—17%使用其它较为昂贵的技术可以将效率提高到：单晶硅—20%，多晶硅—18%