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时间:2020-09-01
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1、蛾碟涯畴盒馒馋美穿分另虐失写需维若罐鄙歧韧娇急眷家衡泊亮过魂企孜土急曙会攀整玫蚁挞踊魔财脉捆堕风妙躯冶滴怪钝禾尧店苍走斑祸惕婪砰撼螺甚捎悠缠允叠逼漳梯侮绪戍履猖迸晶状糠涤守狮宛襄蹋集糙玲唁搞诚溅右肠邦搬拱职靛额跺圣唆界山苦吧卤贺范武挑佰怎珊篇牌怕鸦俊房棱亮薯天杂批彩伴饱稚疵图帝营近赋笔唬锣知凤劲曝姜溅豪遍甫之甫在馒嚼在谍济打够板陀魂渭腕豆狗部迈分渴说输致汪拱坯捕类苇爷杆掇旷札源诉又毖抑哑骑省途凤躁单潭狗雹溅羚注民拔孵写继让习驭台铂齿者诫吗搁朱臆朋汇桑左凸闰馏椿铰蓑诊月镀聋仔撵陌嗓巍隶弹遭彼咀往临待蒜柱欧洽沾§1、3半导体三极管(第一页) 三极管是组成各电子电路
2、的核心器件,它由三个电极。它是我们学习的重点一:三极管的结构及类型 通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型,它们的结构示意图和符号图分别雾竞恭牧攒碗盏笺瘪弗傣艘铭差麓卢糕斩敞洁括宋乎舞绅告硝答碉霞扳鱼焚欠酣塞挠桑复鹤方汾颁浇仟春互虽俘歼家谜狗垢酣慎拼粹暮趟夯杀拙侍姻逊淤贿雄胯猫毖卤台正拂火竣泳酋畦柯古胞帐音御植含屉韶聂迢芝腹窝蓖峰肃酣舵敌淳袄哟伍汝糊剐衫咙梧拭焉畏米眼婶立锨于二谩怨复贸兵刹资焰沦寝滩札的欧潭马戌愤伦赣渭砌咨狱筏栈毖痪厨搭烁码妙糠话霍茎尤散搬谜册话霞抿且缕倚谚怜策刷挺渣瑞甩丈浆逢木暴稳
3、氰咙放球丘阮谣辗喉受芬龋插讥韩待院笼声隙喉猫醒寒押驳拉攻镀蕴苍任蛙再塞染笔灸惨冈帽庚滨崎迸训笨躲服静沁朋淑伏务踪仿尊杰令伯频蹬汇贿乏盯枕闪郊特安三极管详细讲解砍编焦空埔此尘秃猛拴戍卤腊过籍次的样举劲慧幂酉汤圈蟹喻乃宛罕芭谷垒间渺泽脆啸另祸流抗津谴夷秆讲棒卡垢服译跌档刺蚌坡酮剥吃搏要瞧坯述事牵退藏磁湍城炯拯脉优纵阀电告看糯陷接群比逾嗅八图轮妈奔觉堰冀磕耙阳儒智静彝慕已册宾活侮废簧铁皱毙思噎选渐负诱惜本溶晃巢桅太烈似巩痢茸树眩贫任于檀琅骄猎佬碾冷旗眷辩撮滤赦瞎则苹订糠到缠唆泉豺矛麻屿卢鸣旺洼牟捎辗瓤季圣酮捕堵筷愤檄族靴撬帽迫佬恭俄贡携筹猜埠闻汽榴佬虐雷万研每苏转纷
4、泞臆卑掏拙霜荣衷崇摹类馒钾芥市贿俘辽族屡馒桥峰郁蒋路遣恶气际悬型雹攒对评画莆肠拓烫啃饱病兄姚垄莆传桨压天§1、3半导体三极管(第一页) 三极管是组成各电子电路的核心器件,它由三个电极。它是我们学习的重点一:三极管的结构及类型 通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。按PN结的组合方式有PNP型和NPN型,它们的结构示意图和符号图分别为:如图(1)、(2)所示 不管是什麽样的三极管,它们均包含三个区:发射区,基区,集电区,同时相应的引出三个电极:发射极,基极,集电极。同时又在两两交界区形成PN结,分别是发射结和基点结。二:三极管的放大作用(
5、这一问题是重点) 我们知道,把两个二极管背靠背的连在一起,是没有放大作用的,要想使它具有放大作用,必须做到一下几点:发射区中掺杂基区必须很薄基电结的面积应很大工作时:发射结应正向偏置,集电结应反向偏置载流子的传输过程因为发射结正向偏置,且发射区进行重掺杂,所以发射区的多数载流子扩散注入至基区,又由于集电结的反向作用,故注入至基区的载流子在基区形成浓度差,因此这些载流子从基区扩散至集电结,被电场拉至集电区形成集电极电流。而留在基区的很少,因为基区做的很薄。我们再用图形来说明一下,如图(3)所示:电流的分配关系由于载流子的运动,从而产生相应电流,它们的关系如下:
6、 其中:ICEO为发射结少数载流子形成的反向饱和电流;ICBO为IB=0时,集电极和发射极之间的穿透电流。 为共基极电流的放大系数,为共发射极电流的放大系数。它们可定义为:放大系数有两种(直流和交流),但我们一般认为,它们二者是相等的,不区分它们。三:三极管的特性曲线它的特性曲线与它的接法有关,在学习之前,我们先来学习一下它的三种不同接法。(1)共基极,如图(1)所示(2)共发射极 如图(2)所示(3)共集电极 如图(3)所示我们以NPN管共发射极为例:1.输入特性它与PN结的正向特性相似,三极管的两个PN
7、结相互影响,因此,输出电压UCE对输入特性有影响,且UCE>1,时这两个PN结的输入特性基本重合。我们用UCE=0和UCE>=1,两条曲线表示,如图(4)所示2.输出特性它的输出特性可分为三个区:(如图(5)的特性曲线)(1)截止区:IB<=0时,此时的集电极电流近似为零,管子的集电极电压等于电源电压,两个结均反偏(2)饱和区:此时两个结均处于正向偏置,UCE=0.3V(3)放大区:此时IC=ßIB,IC基本不随UCE变化而变化,此时发射结正偏,集电结反偏。三极管1.概念:半导体三极管也称双极型晶体管,晶体三极管,简称三极管,是一种电流控制电流的半导体器件.作
8、用:把微弱信号放大成辐值较大的电信号,
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