模拟电子技术基础复习资料.doc

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1、模拟电路基础复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。2．在N型半导体中，多数载流子是（电子），而少数载流子是（空隙）。3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置。6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流，在室温下约等于（26mV）。7．BJT管的集电极

2、、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之对应。8．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（电压取样）负反馈，为稳定输出电流，应采用（电流取样）负反馈。9．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联－电压求和）负反馈，为降低输出电阻，应采用（电压取样）负反馈。10.放大器电路中引入负反馈主要是为了改善放大器（的电性能）。11．在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（共射）组态即有电压放大作用，又有电流放大作用。12.在BJT放大电路

3、的三种组态中，（共集电极）组态的电压放大倍数小于1，（共基）组态的电流放大倍数小于1。13．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝（），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（大）越好。14．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（高掺杂），二是基区很（薄）并掺杂浓度（最低）。15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数将（不变），而共模放大倍数将（减小），共模抑制比将（增大）。16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容），（变压器）和（直接）耦合三种。17．直接耦合放

4、大器的最突出的缺点是（零点漂移）。18，集成运放主要由（输入级），（中间放大级），（输出级）和（偏置电路）4部分组成。19．BJT三极管的直流偏置电路通常有（固定基流）电路和（分压式）电路两种。20．负反馈放大电路增益的一般表达式,当时，这种反馈称为（负反馈）；当时，这种反馈称为（正反馈）。6第6页共6页21．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即，将这种现象称为（虚短路）。22．集成运放两个输入端的电流通常接近0，即，将这种现象称为（虚开路）。二．选择题1．测得三极管各极的电位如图，此三极

5、管工作在（截止区）。1）饱和区2）放大区3）截止区2．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（放大区）。1）饱和区2）放大区3）截止区3．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（放大区）。1）饱和区2）放大区3）截止区4．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（饱和区）。1）饱和区2）放大区3）截止区6第6页共6页5．图示电路中设,的稳定电压,具有理想特性，则（4.5mA）。1）4.0mA2)4.5mA3)6.2mA4)7.0mA6．图示电路中设,的稳定电压,则限流电阻R应选择为（200W

6、）。1）160W2)200W3)250W4)300W7．图示电路中，当交流电源为正半周时，四个二极管的工作状态为（4）。1）导通，截止2）导通，截止3）截止，导通4）截止，导通8．图示直流电路中，设晶体管的(8.88V)。1）5.28V2)8.88V3)6.54V4）7.62V6第6页共6页9．放大电路如图，设晶体管的则晶体管的微变等效电阻（865W）。1)865W2)1000W3)1100W4)1200W10．图示镜像电流源的,输出的恒流为（12．25µA）。1）11.10µA2）12．25µ

7、A3）16.51µmA4）20.12µA11．图示镜像电流源,输出的恒流为（16.6mA）。1）10.1mA2）11.2mA3）14.1mA4）16.6mA6第6页共6页三．画出如下各电路图的直流通路、交流通路和微变等效电路,设电路中各电容对交流短路。四．电路如图所示，假设运放是理想的，试写出电路输出电压的值。()五．请判断图示各电路级间反馈的组态和极性（如电压并联正反馈）？稳定何种输出量（电压量或电流量）？(电流并联负反馈，稳定输出电流)（电压串联负反馈，稳定输出电压）6第6页共6页（电压并联

8、负反馈，稳定输出电压）（电压并联负反馈，稳定输出电压）六．例题2.4.12.4.32.4.42.5.12.6.12.6.22.7.22.7.3七.例题4.2.15.3.15.3.25.3.36.2.17.3.17.3.2八.习题2-152-16十.习题6-26-15十一.习题7-106第6页共6页