模拟电子技术基础简明教程 复习资料.doc

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1、模拟电路基础12级复习资料一、填空题1．在P型半导体中，多数载流子是（空隙），而少数载流子是（自由电子）。2．在N型半导体中，多数载流子是（自由电子），而少数载流子是（空隙）。3．当PN结反向偏置时，电源的正极应接（N）区，电源的负极应接（P）区。4．当PN结正向偏置时，电源的正极应接（P）区，电源的负极应接（N）区。5．为了保证三极管工作在放大区，应使发射结（正向）偏置，集电结（反向）偏置。6．根据理论分析，PN结的伏安特性为,其中被称为（反向饱和）电流，为热电势，在室温下约等于（26mV）。7．从三极管内部制造工艺看，主要有两大特点，一是发射区（

2、高掺杂），二是基区很（薄）并且掺杂浓度（最低）。8．BJT管的集电极、基极和发射极分别与JFET的三个电极（漏极）、（栅极）和（源极）与之对应。9．BJT三极管的直流偏置电路通常有（固定基流）偏置电路和（分压式静态工作点稳定）偏置电路两种。10．在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态输入电阻最大，输出电阻最小。（共射）组态有电压放大作用，又有电流放大作用。11.在BJT放大电路的三种组态中，（共集电极）组态的电压放大倍数小于1，（共基）组态的电流放大倍数小于1。12．在BJT放大电路的三种组态中，（共基）组态的有较大的电压放大作用，而电流放大

3、倍数小于1。13．在BJT放大电路的三种组态中，共基组态的输入电阻（最小），（共集电极）组态输入电阻最大14．差分放大电路的共模抑制比KCMR＝（），通常希望差分放大电路的共模抑制比越（大）越好。15．在差分放大电路中发射极接入长尾电阻后，它的差模放大倍数（不变），而共模放大倍数（减小），共模抑制比（增大）。16．多级级联放大器中常用的级间耦合方式有（阻容），（变压器）和（直接）耦合三种。17．直接耦合放大器的最突出的缺点是有（零点漂移）。18，集成运放主要由（输入级），（中间放大级），（输出级）和（偏置电路）4部分组成。19.放大器电路中引入负反馈

4、主要是为了改善放大器的（电性能）。20．放大器电路中引入负反馈的最显著的效果是提高放大倍数的（稳定性），减小（非线性失真），展宽（通频带）和改变（输入电阻和输出电阻）。21．在放大器中，为稳定输出电压，应采用（电压取样）负反馈，为稳定输出电流，应采用（电流取样）负反馈。22．在负反馈放大器中，为提高输入电阻，应采用（串联）负反馈，为降低输出电阻，应采用（电压取样）负反馈。23．负反馈放大电路增益的一般表达式,当时，这种反馈称为（负反馈）；当时，这种反馈称为（正反馈）。24．集成运放两个输入端之间的电压通常接近0，即，将这种现象称为（虚短路）。25．集

5、成运放两个输入端的电流通常接近0，即，将这种现象称为（虚开路）。二．选择题1．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（截止区）。饱和区放大区截止区2．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（放大区）。饱和区放大区截止区3．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（放大区）。饱和区放大区截止区4．测得三极管各极的电位如图，此三极管工作在（饱和区）。饱和区放大区截止区5．图示电路中设,的稳定电压,具有理想特性，则（4.5mA）。4.0mA4.5mA6.2mA7.0mA6．图示电路中设,的稳定电压,则限流电阻R应选择为（200W）。160W200W25

6、0W300W7．图示电路中，当交流电源为正半周时，四个二极管的工作状态为（4））。导通，截止导通，截止截止，导通截止，导通8．图示直流电路中，设晶体管的(8.88V)。5.28V8.88V6.54V7.62V9．放大电路如图，设晶体管的则晶体管的微变等效电阻（865W）。865W1000W1100W1200W10．图示镜像电流源的,输出的恒流为（12．25µA）。11.10µA12．25µA16.51µmA20.12µA11．图示镜像电流源,输出的恒流为（16.6mA）。10.1mA11.2mA14.1mA16.6mA12.对于如图所示的复合管，设两

7、管工作在放大区，且。如两管的穿透电流可忽略，则复合管的发射极电流＝（100mA）。90mA100mA120mA300mA13.对于如图所示的复合管，设两管工作在放大区，且。则复合管的输入电阻＝（56kW）。40kW51kW56kW70kW14．在OCL乙类功放电路中，最大效率应为（78.5﹪）。1）90﹪2）78.5﹪　3)　50﹪4)20﹪15．OCL乙类功放电路，若最大输出功率为2W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为（0.4W）。4W1W　30.4W0.1W