《模拟电子技术基础》复习资料及答案

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1、《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1,得到P型半导体。7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少

2、数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。13.PN结的主要特性是一单向导电性。14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称

3、为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击

4、穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200,/ceo=200MA；B管的卩二50,/ceo=10MA,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。22.点接触二极管的主要优点是一结电容小,多用于高频检波、小电流整流及小功率开关电路。23.稳压管实质上是一个二极管，它通常工作在击穿区,所以当反向电压大于稳定电压U刁吋，它才能产生稳压作用。24.变容二极管是利用PN结的势垒电容随外加反向电压的变化而变化的特性制成的。25.双极型三极笛有两种极性的载流了参与导电:场效应管有二_种极性的载流了参与导电。26.三极管有

5、两个PN结，即发射结利集电结,在放大电路中发射结必须正偏,集电结必须反偏。27.三极管个电极电流的分配关系是/e=4±Zc_。28.三极管有_NPN型和PNP一型,前者击电路中使用的符号是,后者在电路中使用的符号是29•晶体三极管能起电流放大作用的内部条件是：发射区需匝掺杂,基区宽度耍窄；外部条件是：发射结要正向偏置,集电结要反向偏置。30.处于放人状态的三极管沧与人的关系是上*一，处于饱和状态的三极管/c不受人的控制，失去了放人作用，处在截止状态的三极管zc«Q_o30.电流放人系数册勺定义是旦&Zb_。31.当NPN错管工作在放人

6、区时，在£、B、C三个电极屮，以集电极电位最高,发射极的电位最低;/叫约等于0.2V。32.当PNP型硅三极管处于放大状态吋，在£、B、C三个电极中，以发射极电位最高,集电极的电位最低。33.三极侈的反向饱和电流/小。随温度的升高而升高，穿透电流/「皿随温度升高而增加,Ube随温度的升高而下降，〃值随温度的升高而壇加。34.三极管的三个主要极限参数是卧、/cm和反向击穿电压。35.从三极管的输出特性曲线看，三极管可分成放大区、饱和区、截止区和击穿区四个工作区域。当三极管工作在放人区时,关系式p险才成立；当三极管工作在截止区时,/c^O

7、；当三极管工作在饱和区时,UcO。36.三极管有三个电极，分别是_集电极、发射极和棊极。37.用直流电压表测得某放大器中NPN型三极管的三个极对地的电位分别为Vb=+10.7V,Vc=+10.3V,Ve二+10V,则该管工作在饱和区。38.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极対地的电位分别为Va=+3.1V,Vb二+2.9V,Vc二2V,则从材料看为错管,从结构上看为PNP型管,且A为发射极,B为基极,C为集电极。39.用直流电压表测得某放大器中三极管的三个电极对地的电位分别为Va=+7V,Vb=+1.8V,Vc=+6.3V,则

8、从材料看为硅管,从结构上看为PNP_型管,且A为发射极,B为集电极,C为_基极极。40.用直流电压表测得某放大器中三极悸的三个电极对地的电位分别为Vf+7V,Vb=+1.8V,Vc=+2.5V,则从材料看为硅一管,从结构